半導体レーザ素子およびその製造方法

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	半導体レーザ素子およびその製造方法
其他题名	半導体レーザ素子およびその製造方法
	竹内邦生; 久納康光; 畑雅幸
	2008-12-04
专利权人	SANYO ELECTRIC CO LTD
公开日期	2008-12-04
授权国家	日本
专利类型	发明申请
摘要	【課題】成長基板の剥離工程などにおいて半導体レーザ素子部にクラックが発生するのを抑制することが可能な半導体レーザ素子およびその製造方法を提供する。【解決手段】この半導体レーザ素子10は、共振器の延びる方向に延びるリッジ部114aと、リッジ部114aに沿って形成された溝部114bと、溝部114bを挟んでリッジ部114aと反対側に溝部114bに沿って形成された支持部114cとを含む半導体レーザ素子部110と、半導体レーザ素子部110に導電性接着層121を介して接合されるp型Ge基板100とを備えている。そして、導電性接着層121は、半導体レーザ素子部110の溝部114bを埋め込むとともに、半導体レーザ素子部110のリッジ部114aおよび支持部114cと、p型Ge基板100との間の空間を埋めるように形成されている。【選択図】図3
其他摘要	提供一种能够在剥离生长衬底等的步骤中抑制半导体激光元件部分中出现裂缝的半导体激光器件及其制造方法。解决方案：该半导体激光装置10具有在谐振器延伸的方向上延伸的脊部114a，沿脊部114a形成的槽部114b，在脊部114a的相对侧上的槽部114b，槽部114b介于其间并且p型Ge衬底100经由导电粘合层121接合到半导体激光元件部分110.半导体激光元件部分110包括半导体激光元件部分110和支撑部分114c。导电粘合剂层121填充半导体激光元件部分110的凹槽部分114b并填充半导体激光元件部分110的脊部分114a和支撑部分114c与p型Ge衬底100之间的空间。并且形成了。点域
申请日期	2008-04-16
专利号	JP2008294421A
专利状态	失效
申请号	JP2008106311
公开（公告）号	JP2008294421A
IPC 分类号	H01S5/022 \| H01S5/22 \| H01S5/00
专利代理人	宮園博一
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/71795
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	SANYO ELECTRIC CO LTD
推荐引用方式 GB/T 7714	竹内邦生,久納康光,畑雅幸. 半導体レーザ素子およびその製造方法. JP2008294421A[P]. 2008-12-04.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP2008294421A.PDF（290KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文