Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 半导体激光元件及其制造方法 | |
| 其他题名 | 半导体激光元件及其制造方法 |
| 竹内邦生; 广山良治; 冈本重之; 富永浩司; 野村康彦; 井上大二朗 | |
| 2005-08-17 | |
| 专利权人 | 三洋电机株式会社 |
| 公开日期 | 2005-08-17 |
| 授权国家 | 中国 |
| 专利类型 | 授权发明 |
| 摘要 | 本发明涉及半导体激光元件及其制造方法。P型AlGaInP第1覆盖层上，在脊部的侧面及开孔区域的上方的脊部的上表面区域形成有n型GaAs电流阻挡层。端面近旁的区域上的p型GaAs顶盖层上形成隆起部，端面近旁的第1电极区域上形成隆起区域。第1电极的隆起区域间的区域上形成具有比隆起区域的高度大的厚度的第2电极。 |
| 其他摘要 | 本发明涉及半导体激光元件及其制造方法。P型AlGaInP第1覆盖层上，在脊部的侧面及开孔区域的上方的脊部的上表面区域形成有n型GaAs电流阻挡层。端面近旁的区域上的p型GaAs顶盖层上形成隆起部，端面近旁的第1电极区域上形成隆起区域。第1电极的隆起区域间的区域上形成具有比隆起区域的高度大的厚度的第2电极。 |
| 申请日期 | 2001-08-29 |
| 专利号 | CN1215620C |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | CN01131277.7 |
| 公开（公告）号 | CN1215620C |
| IPC 分类号 | H01S5/042 | H01S5/16 | H01S5/223 | H01S5/30 | H01S5/343 | H01S5/00 | H01L33/00 |
| 专利代理人 | 沈昭坤 |
| 代理机构 | 上海专利商标事务所有限公司 |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/79940 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 三洋电机株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 竹内邦生,广山良治,冈本重之,等. 半导体激光元件及其制造方法. CN1215620C[P]. 2005-08-17. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| CN1215620C.PDF（997KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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