化合物半導体基板、及び化合物半導体基板の製造方法、並びに発光素子

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	化合物半導体基板、及び化合物半導体基板の製造方法、並びに発光素子
其他题名	化合物半導体基板、及び化合物半導体基板の製造方法、並びに発光素子
	小河淳; 湯浅貴之
	1999-05-21
专利权人	SHARP CORP
公开日期	1999-05-21
授权国家	日本
专利类型	发明申请
摘要	【課題】窒素を主成分として含むIII-V族化合物半導体の良好な結晶を得ることを目的とする。【解決手段】マイカ上に、直接又は中間層を介して、窒素を主成分とするIII-V族化合物半導体を結晶成長させてなることを特徴とする。
其他摘要	要解决的问题：通过在云母上生长含有氮作为主要成分的III-V族化合物半导体晶体，提供含有氮作为主要成分的III-V族化合物半导体的良好晶体。溶液：合成云母的表面作为用于晶体生长的基板3，用有机溶剂清洗，然后用1000℃的氢气流清洗。 III族材料如下制备。例如，Ga金属1保持在约700℃，并且在Ga金属1上引入HCl气体6以形成Ga氯化合物2.将Ga氯化合物2与作为载气的氢气4混合。 V-基团材料与氨气5和氢气作为载气混合。载气和原料气体通过石英反应管7送到排气装置8.将III族材料和V族材料混合并在云母基板3上生长，其温度保持在大约1000摄氏度用于生长水晶。在晶体生长之后，将基板自然冷却并从生长室中取出。
主权项	-
申请日期	1997-10-28
专利号	JP1999135882A
专利状态	失效
申请号	JP1997295140
公开（公告）号	JP1999135882A
IPC 分类号	H01L21/20 \| C09D163/00 \| H01S5/323 \| H01L21/02 \| H01S5/343 \| C30B25/18 \| C09D5/08 \| H01L33/06 \| H01L33/32 \| H01S5/00 \| H01L21/205 \| C30B25/02 \| H01S3/18 \| H01L33/00
专利代理人	小池隆彌
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/51134
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	SHARP CORP
推荐引用方式 GB/T 7714	小河淳,湯浅貴之. 化合物半導体基板、及び化合物半導体基板の製造方法、並びに発光素子. JP1999135882A[P]. 1999-05-21.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP1999135882A.PDF（43KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文