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半導体発光素子及びその製造方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP3164072B2, 申请日期: 2001-03-02, 公开日期: 2001-05-08
发明人:  宮坂 文人
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半導体レーザ素子 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP2000340890A, 申请日期: 2000-12-08, 公开日期: 2000-12-08
发明人:  荒木田 孝博;  宮坂 文人;  正野 篤士;  多田 健太郎;  大沢 洋一;  堀田 等
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自励発振型半導体レーザ 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP3123433B2, 申请日期: 2000-10-27, 公开日期: 2001-01-09
发明人:  宮坂 文人;  堀田 等;  小林 健一
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半導体レ—ザ及びその製造方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1999274657A, 申请日期: 1999-10-08, 公开日期: 1999-10-08
发明人:  多田 健太郎;  堀田 等;  宮坂 文人
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半導体結晶成長方法および半導体素子 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP2967719B2, 申请日期: 1999-08-20, 公开日期: 1999-10-25
发明人:  五明 明子;  堀田 等;  宮坂 文人
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半導体装置及びその製造方法、並びに半導体レーザ及びその製造方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1997232678A, 申请日期: 1997-09-05, 公开日期: 1997-09-05
发明人:  多田 健太郎;  堀田 等;  宮坂 文人
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半導体レーザの製造方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1995221386A, 申请日期: 1995-08-18, 公开日期: 1995-08-18
发明人:  宮坂 文人
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半導体レーザ 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP1995077283B2, 申请日期: 1995-08-16, 公开日期: 1995-08-16
发明人:  堀田 等;  五明 明子;  宮坂 文人
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半導体レーザの製造方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP1995073144B2, 申请日期: 1995-08-02, 公开日期: 1995-08-02
发明人:  宮坂 文人
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半導体レーザの製造方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1994252506A, 申请日期: 1994-09-09, 公开日期: 1994-09-09
发明人:  宮坂 文人;  堀田 等;  五明 明子
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