Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 半導体レーザ素子 | |
| 其他题名 | 半導体レーザ素子 |
| 荒木田 孝博; 宮坂 文人; 正野 篤士; 多田 健太郎; 大沢 洋一; 堀田 等 | |
| 2000-12-08 | |
| 专利权人 | NEC CORP |
| 公开日期 | 2000-12-08 |
| 授权国家 | 日本 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | 【課題】 メサストライプ周囲における面方位の違いに起因する結晶欠陥の発生が抑止され、出射レーザ光に対する光吸収性が効果的に抑制された埋込み構造を有し、歩留まりが良く、長期信頼性が得られる半導体レーザ素子を提供する。 【解決手段】 半導体レーザ素子は、GaAs(100)基板11上に順次に積層されたSiクラッド層13、活性層14及びZnクラッド層15を備え、Znクラッド層15がメサストライプに形成されている。この半導体レーザ素子は、メサストライプ15aを埋め込む成長層が、AlGaAsを含むSi電流ブロック層18及びAlGaInPを含むSi電流ブロック層19、20から構成されている。 |
| 其他摘要 | 要解决的问题：获得具有掩埋结构的半导体激光元件，其中有效地抑制了由台面条纹周围的平面取向的差异和对发射的激光的光吸收特性引起的晶体缺陷的发生。 ，可以高产量制造，并且可以长期保持高可靠性。解决方案：半导体激光元件设置有Si包层13，有源层14和Zn包层15，它们依次层叠在GaAs（100）基板11上，并且包层1形成为形状台面条纹。在该激光元件中，生长以掩埋台面条15a的层由包含AlGaAs的Si电流阻挡层18和包含AlGaInP的Si电流阻挡层19和20构成。 |
| 申请日期 | 1999-05-31 |
| 专利号 | JP2000340890A |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | JP1999151143 |
| 公开（公告）号 | JP2000340890A |
| IPC 分类号 | H01S5/227 | H01S5/00 |
| 专利代理人 | 稲垣 清 |
| 代理机构 | - |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/86891 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | NEC CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 荒木田 孝博,宮坂 文人,正野 篤士,等. 半導体レーザ素子. JP2000340890A[P]. 2000-12-08. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| JP2000340890A.PDF（29KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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