半導体発光素子及びその製造方法

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	半導体発光素子及びその製造方法
其他题名	半導体発光素子及びその製造方法
	宮坂文人
	2001-03-02
专利权人	日本電気株式会社
公开日期	2001-05-08
授权国家	日本
专利类型	授权发明
摘要	(修正有) 【課題】半導体発光素子において、ウィンドウ領域の埋め込み工程を簡単に行なうことができる高光出力特性を得ることができる半導体発光素子及びその製造方法を提供する。【解決手段】第一導電型半導体基板上1に、第一導電型クラッド層3、活性層4、及び第二導電型クラッド層5が積層され、電流注入用のストライプの外側を前記第二導電型クラッド層5の途中、あるいは前記活性層4の近傍、あるいは前記第一導電型クラッド層3の下部または途中までエッチングして電流ブロック層9で埋め込まれた電流狭窄ストライプを有する半導体発光素子において、素子のストライプ端面近傍の領域と、前記電流狭窄ストライプを含み電流狭窄ストライプよりも幅の広いストライプ外側の領域とを、前記活性層4を横切って活性層4に比してバンドギャップエネルギーの大きい半導体層8で埋め込むことを特徴とする。
其他摘要	（经修改）提供一种能够获得高光输出特性的半导体发光器件及其制造方法，所述半导体发光器件能够容易地执行在半导体发光器件中嵌入窗口区域的工艺。所述第一导电型半导体衬底1中，第一导电型敷层3，有源层4和第二导电型包覆层5被层叠，外电流注入所述第二导电条形成包层5，有源层4附近，或第一导电型包层3的下部或中部，并具有埋在电流阻挡层9中的电流阻挡层9，并且该装置的条带边缘附近的表面的区域中，电流限制条纹外部的电流和宽条纹区域包括跨过有源层4的带隙能量变窄条纹，大型半导体比有源层4如图8所示的层8。
申请日期	1998-07-31
专利号	JP3164072B2
专利状态	失效
申请号	JP1998216673
公开（公告）号	JP3164072B2
IPC 分类号	H01S5/30 \| H01S \| H01S5/00 \| H01S5/16
专利代理人	鈴木章夫
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/80291
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	日本電気株式会社
推荐引用方式 GB/T 7714	宮坂文人. 半導体発光素子及びその製造方法. JP3164072B2[P]. 2001-03-02.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP3164072B2.PDF（97KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文