Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 半導体レーザの製造方法 | |
| 其他题名 | 半導体レーザの製造方法 |
| 宮坂 文人 | |
| 1995-08-18 | |
| 专利权人 | 日本電気株式会社 |
| 公开日期 | 1995-08-18 |
| 授权国家 | 日本 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | 【目的】 レーザ端面の吸収を小さくし、光学損傷を起こす最高光出力を向上した高出力半導体レーザを歩留まりよく製造する。 【構成】 活性層がGaInP自然超格子からなり、n型のGaAs基板1、n型クラッド層2のレーザ端面近傍領域にn型不純物Siを所定濃度以上付加し、p型クラッド層6を積層成長する工程において、Siを付加した領域3上のみp型クラッド層6中にドープしたp型の不純物Znを活性層5に拡散し超格子を無秩序化し窓領域を作製する。領域3上に積層成長した層は結晶品質が低下し、Znが拡散し易くなり、クラッド層6の積層成長中に活性層中に容易に拡散し、超格子が無秩序化される。新たに熱処理をする必要がなく、端面近傍以外の活性領域にZnが拡散し、劣化させることはない。 |
| 其他摘要 | [目的]制造高输出半导体激光器，激光器面吸收率降低，最大光输出增加，造成光学损伤。 有源层由GaInP自然超晶格构成，并且n型杂质Si以预定浓度或更大的浓度添加到n型GaAs衬底1和n型覆层2的激光刻面附近的区域，并且堆叠和生长p型覆层6掺杂在p型包覆层6中的p型杂质Zn仅在添加Si的区域3上扩散到有源层5中，使得超晶格无序并产生窗口区域。在区域3上生长的层的晶体质量降低，Zn容易扩散，在包层6的层叠生长期间容易扩散到有源层中，并且超晶格是无序的。不需要重新进行热处理，Zn扩散到端面附近以外的有源区域，不会劣化。 |
| 申请日期 | 1994-01-31 |
| 专利号 | JP1995221386A |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | JP1994009027 |
| 公开（公告）号 | JP1995221386A |
| IPC 分类号 | H01S5/00 | H01S5/16 | H01S3/18 |
| 专利代理人 | 京本 直樹 (外2名) |
| 代理机构 | - |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/80478 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 日本電気株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 宮坂 文人. 半導体レーザの製造方法. JP1995221386A[P]. 1995-08-18. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| JP1995221386A.PDF（52KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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