Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 自励発振型半導体レーザ | |
| 其他题名 | 自励発振型半導体レーザ |
| 宮坂 文人; 堀田 等; 小林 健一 | |
| 2000-10-27 | |
| 专利权人 | 日本電気株式会社 |
| 公开日期 | 2001-01-09 |
| 授权国家 | 日本 |
| 专利类型 | 授权发明 |
| 摘要 | 【目的】 高濃度に不純物を添加することなく可飽和吸収層のキャリア寿命を短くできるようにして、閾値電流の低い自励発振型レーザを提供する。 【構成】 活性層4を挟むn型及びp型AlGaInPクラッド層2、5内に、次の条件でn型、p型可飽和吸収層3、6を形成する。 |
| 其他摘要 | 要解决的问题：通过缩短可饱和吸收层中的载流子寿命而提供具有低阈值电流的激光器，而不需要重掺杂。解决方案：根据以下条件，在夹持有源层4的n型和p型AlGaInP包覆层2,5中形成n型可饱和吸收层3和p型可饱和吸收层6。通过MOVPE（金属有机气相外延生长系统）形成可饱和吸收层时，V族材料和III族材料之间的供给比（V / III比）设定为低于形成活性层。 （2）。可饱和吸收层中的组成比Al被设置为高于有源层的组成比。 （3）。可饱和吸收层形成得比有源层薄。 |
| 授权日期 | 2000-10-27 |
| 申请日期 | 1996-06-27 |
| 专利号 | JP3123433B2 |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | JP1996167047 |
| 公开（公告）号 | JP3123433B2 |
| IPC 分类号 | H01S | H01S5/323 | H01S5/065 | H01S5/00 |
| 专利代理人 | 尾身 祐助 |
| 代理机构 | - |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/41764 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 日本電気株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 宮坂 文人,堀田 等,小林 健一. 自励発振型半導体レーザ. JP3123433B2[P]. 2000-10-27. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| JP3123433B2.PDF（40KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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