Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 面発光型半導体レーザ装置 | |
| 其他题名 | 面発光型半導体レーザ装置 |
| 中村 真嗣; 松田 賢一 | |
| 专利权人 | MATSUSHITA ELECTRIC IND CO LTD |
| 公开日期 | 1997-10-31 |
| 授权国家 | 日本 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | 【課題】 面発光型半導体レーザ装置において変調の高速化と低チャープ化を図る。 【解決手段】 面発光型レーザ装置は、第1のレーザ用電極101、第1のDBR層102、第1のクラッド層103、活性層104、第2のクラッド層105、第2のレーザ用電極106、高抵抗半導体層107、第1の変調用電極108、コンタクト層109、p型InP層110、第2のDBR層111、n型InP層112及び第2の変調用電極113を備えている。第2のDBR層111はInGaAsPよりなる障壁層とInGaAsPよりなる井戸層とが交互に形成された量子井戸構造を有している。第1の変調用電極108と第2の変調用電極113との間に電圧が印加されると、第2のDBR層113は活性層104から発生した光を吸収する。 |
| 其他摘要 | 要解决的问题加速表面发射半导体激光器件中的调制和降低啁啾。 一种表面发射激光器件，包括第一激光电极101，第一DBR层102，第一覆层103，有源层104，第二覆层105，第二激光电极106，高阻半导体层107，第一调制电极108，接触层109，p型InP层110，第二DBR层111，n型InP层112和第二调制电极113 。第二DBR层111具有量子阱结构，其中交替地形成由InGaAsP制成的势垒层和由InGaAsP制成的阱层。当在第一调制电极108和第二调制电极113之间施加电压时，第二DBR层113吸收从有源层104产生的光。 |
| 申请日期 | 1996-04-09 |
| 专利号 | JP1997283836A |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | JP1996086161 |
| 公开（公告）号 | JP1997283836A |
| IPC 分类号 | H01S5/00 | H01S3/18 |
| 专利代理人 | 前田 弘 (外2名) |
| 代理机构 | - |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/44085 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | MATSUSHITA ELECTRIC IND CO LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 中村 真嗣,松田 賢一. 面発光型半導体レーザ装置. JP1997283836A. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| JP1997283836A.PDF（93KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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