電界吸収型半導体光変調器

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	電界吸収型半導体光変調器
其他题名	電界吸収型半導体光変調器
	中村真嗣; 上山智; 松井康
	1999-11-19
专利权人	松下電器産業株式会社
公开日期	2000-01-31
授权国家	日本
专利类型	授权发明
摘要	【課題】電界吸収型半導体光変調器の印加電圧-消光比特性の非線形性歪を低減する。【解決手段】 MQW層34は、PL波長51μm、厚さ7nmのInGaAsPよりなる第1の井戸層45、PL波長15μm、厚さ10nmの第1の障壁層46、PL波長41μm、厚さ9nmのInGaAsPよりなる第2の井戸層47、PL波長19μm、厚さ8nmの第2の障壁層48が順次組み合わされてなる。MQW層34の両側には、2段SCH構造を構成するPL波長05μm、厚さ50nmのInGaAsPよりなる第1の光導波層41とPL波長15μm、厚さ20nmのInGaAsPよりなる第2の光導波層42、及び第2の光導波層42と同じ組成で同じ厚さの第3の光導波層43と第1の光導波層41と同じ組成で同じ厚さの第4の光導波層44がそれぞれ形成されている。
其他摘要	目的：降低电场吸收型半导体光调制器的外加电压 - 消光比特性的非线性应变。组成：MQW层34由连续组合第一阱层45和第二阱层构成，第一阱层45由PL波长为51μm，厚度为7nm的InGaAsP组成，第一阻挡层46的PL波长为15μm，厚度为10nm。47由PL波长为41μm，厚度为9nm的InGaAsP和PL波长为19μm，厚度为8nm的第二阻挡层48组成。构成第二级SCH结构的第一光波导层41，由PL波长为05μm，厚度为50nm的InGaAsP，由PL波长为15μm，厚度为20nm的InGaAsP构成的第二光波导层42，第三光波导构成层43由相同的组成。作为compsn。第二光波导层42具有相同的厚度，第四光波导层44由相同的组成。在MQW层34的两侧分别形成第一光波导层41并具有相同的厚度。
授权日期	1999-11-19
申请日期	1996-02-14
专利号	JP3004902B2
专利状态	失效
申请号	JP1996026367
公开（公告）号	JP3004902B2
IPC 分类号	G02F1/015 \| G02F1/017 \| H01S5/06 \| H01S \| G02F \| G02F1/01 \| G02F1/025 \| H01S5/00
专利代理人	前田弘 (外1名)
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/41956
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	松下電器産業株式会社
推荐引用方式 GB/T 7714	中村真嗣,上山智,松井康. 電界吸収型半導体光変調器. JP3004902B2[P]. 1999-11-19.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP3004902B2.PDF（68KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文