Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 半導体発光素子 | |
| 其他题名 | 半導体発光素子 |
| 伊藤 哲; 大畑 豊治; 石橋 晃; 中山 典一 | |
| 1995-06-16 | |
| 专利权人 | SONY CORP |
| 公开日期 | 1995-06-16 |
| 授权国家 | 日本 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | 【目的】 光閉じ込め特性およびキャリア閉じ込め特性が良好で、動作時の発熱がなく、しかも製造が容易な、ZnMgSSe系化合物半導体をクラッド層の材料として用いた青色ないし緑色で発光が可能な半導体発光素子を実現する。 【構成】 n型GaAs基板1上にn型ZnSeバッファ層2を介してn型Zn1-p Mgp Sq Se1-q クラッド層3、n型ZnSe光導波層4、活性層5、p型ZnSe光導波層6、p型Zn1-p Mgp Sq Se1-q クラッド層7、p型ZnSv Se1-v 層8およびp型ZnSeコンタクト層9を順次積層するとともに、p型ZnSeコンタクト層9上にはp側電極11を形成し、n型GaAs基板1の裏面にはn側電極12を形成し、半導体レーザーや発光ダイオードなどの半導体発光素子を構成する。活性層5は例えばi型Zn1-z Cdz Seにより形成する。 |
| 其他摘要 | 目的：实现蓝色或绿色半导体发光元件，其可以在不加热的情况下操作，同时显示出优异的光和载流子限制特性，并且可以使用ZnMqSSe基复合导体作为包层材料容易地制造。组成：n型Zn1-pMgpSqSe1-q包层3，n型ZnSe光波导层4，有源层5，p型ZnSe光波导层6，p型Zn1-pMgpSqSe1-q包层层7，p型ZnSvSe1-v层8和p型ZnSe接触层9通过n型ZnSe缓冲层2依次形成在n型GaAs衬底1上。形成p型电极11在n型GaAs衬底1的背面上形成p型ZnSe接触层9和n侧电极12，从而构成半导体发光元件，例如，半导体激光器或LED。有源层5例如由i型Zn1-zCdzSe构成。 |
| 申请日期 | 1994-04-28 |
| 专利号 | JP1995154035A |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | JP1994114467 |
| 公开（公告）号 | JP1995154035A |
| IPC 分类号 | H01L33/40 | H01L33/12 | H01L33/06 | H01L33/30 | H01L33/14 | H01L33/10 | H01S5/00 | H01L33/28 | H01S3/18 | H01L33/00 |
| 专利代理人 | 杉浦 正知 |
| 代理机构 | - |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/86815 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | SONY CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 伊藤 哲,大畑 豊治,石橋 晃,等. 半導体発光素子. JP1995154035A[P]. 1995-06-16. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| JP1995154035A.PDF（85KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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