Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 半導体発光素子 | |
| 其他题名 | 半導体発光素子 |
| 石橋 晃; 中山 典一; 奥山 浩之 | |
| 2003-12-26 | |
| 专利权人 | ソニー株式会社 |
| 公开日期 | 2004-03-15 |
| 授权国家 | 日本 |
| 专利类型 | 授权发明 |
| 摘要 | 【目的】 p側電極を、電気的、機械的に良好にコンタクト層にコンタクトして動作電圧の低減化、長寿命化、信頼性の向上をはかる。 【構成】 p側電極9がこの電極9のコンタクト層7の上面7aおよび側面7bに渡って被着する構造とする。 |
| 其他摘要 | 用途：通过一种方法获得良好的电气和机械接触，其中半导体发光器件的p侧电极的接触层的接触不仅涂覆在上表面上，而且涂覆在侧面上，并且其交叉 - 该部分形成三维电极结构。组成：通过不仅在接触层7的上表面上形成p侧电极9而且在形成在接触层7上的侧面7b上形成p侧电极9，增加了p侧电极9相对于接触层7的沉积面积。在π形横截面中，即，它们可以说是以三维结构形成的。结果，p侧电极9相对于接触层7的沉积面积增加。因此，上述p侧电极9的触点7的接触电阻减小，工作电压降低，接触层7的沉积强度通过形成π形弯曲形式而增加，随着p侧电极9的沉积区域可以提高可靠性。 |
| 申请日期 | 1994-05-16 |
| 专利号 | JP3505780B2 |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | JP1994101166 |
| 公开（公告）号 | JP3505780B2 |
| IPC 分类号 | H01L33/36 | H01L | H01S | H01S5/323 | H01S5/343 | H01L33/06 | H01S5/042 | H01L33/32 | H01S5/00 | H01L33/28 | H01L33/00 |
| 专利代理人 | 角田 芳末 (外2名) |
| 代理机构 | - |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/85324 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | ソニー株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 石橋 晃,中山 典一,奥山 浩之. 半導体発光素子. JP3505780B2[P]. 2003-12-26. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| JP3505780B2.PDF（278KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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