半導体レーザと並列伝送用光送信モジュールおよびそれらを使用した応用システム

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	半導体レーザと並列伝送用光送信モジュールおよびそれらを使用した応用システム
其他题名	半導体レーザと並列伝送用光送信モジュールおよびそれらを使用した応用システム
	中原宏治; 豊中隆司; 芳賀徹; 谷渡剛; 魚見和久
	1999-06-02
专利权人	株式会社日立製作所
公开日期	1999-06-02
授权国家	日本
专利类型	发明申请
摘要	【課題】n型にドープされた多重量子井戸活性層を有する半導体レーザにおいて、伝送帯側のキャリアオーバーフローを抑制し、n型変調ドープの効果を最大限に発揮し、発振遅延時間が小さな半導体レーザを提供する。【解決手段】量子井戸活性層を有する半導体レーザの障壁層101を04μm以上でかつ09μm 以下の組成波長とし、ガイド層103,104を03μm以上、06μm以下の組成波長とする。
其他摘要	要解决的问题：通过在特定范围内的成分波长的量子阱层中形成阻挡层，并在成分波长中形成引导层，来抑制电子溢出并降低阈值电流并缩短载流子寿命在将量子阱层设置在特定数量的层中时，在特定范围内。解决方案：激光元件由N型阻挡层101组成，其中掺杂剂量为3×10 18 cm -3的Si并且其膜厚度为10nm，未掺杂的量子阱层102的膜厚度为6nm，由InGaAsP构成并且组成波长为0μm的引导层103,104，N型InP包层105和P型InP型包层106，量子阱层由5个构成层。量子阱层中的阻挡层的组成波长形成为04-09μm，引导层的组成波长形成为03-06μm。室温下的平均阈值电流为5mA，平均载流子寿命为05ns，并且在阈值电流的半偏置电流中15mA的驱动电流时的振荡延迟时间为56ps。
主权项	-
申请日期	1997-11-17
专利号	JP1999150322A
专利状态	失效
申请号	JP1997314794
公开（公告）号	JP1999150322A
IPC 分类号	H01S5/026 \| A42B3/04 \| A42B1/24 \| H01S5/00 \| H01S3/18
专利代理人	小川勝男
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/65994
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	株式会社日立製作所
推荐引用方式 GB/T 7714	中原宏治,豊中隆司,芳賀徹,等. 半導体レーザと並列伝送用光送信モジュールおよびそれらを使用した応用システム. JP1999150322A[P]. 1999-06-02.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP1999150322A.PDF（38KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文