GaInNAsを有する半導体素子の作製方法、該作製方法を用いて作製した半導体素子、および該半導体素子を用いた光通信システム

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	GaInNAsを有する半導体素子の作製方法、該作製方法を用いて作製した半導体素子、および該半導体素子を用いた光通信システム
其他题名	GaInNAsを有する半導体素子の作製方法、該作製方法を用いて作製した半導体素子、および該半導体素子を用いた光通信システム
	近藤正彦; 北谷健; 中原宏治
	1999-03-30
专利权人	株式会社日立製作所
公开日期	1999-03-30
授权国家	日本
专利类型	发明申请
摘要	【課題】良好な結晶性を有するGaInNAsを用いた半導体素子の作製方法、および該作製方法を用いて作製した半導体素子、ならびに該半導体素子を用いた光通信システムを提供すること。【解決手段】基板結晶上にGaInNAsを350℃から490℃の温度範囲で結晶成長させて半導体レーザなどの半導体素子を作製する。また、この半導体素子を用いて光通信システムを作製する。なお、結晶成長方法としては、分子線エピタキシー(MBE)法または化学線エピタキシー(CBE)法が好ましい。図は半導体レーザの例であり、1は基板、2はバッファ層、3と5はクラッド層、4は障壁層10および12とGaInNAs井戸層11からなる活性層、6はキャップ層、7は電流狭窄層、8と9は電極を示している。
其他摘要	要解决的问题：通过在特定温度范围内的衬底晶体上晶体生长GaInNA，获得用于具有优异温度特性的光通信系统的半导体激光器。解决方案：在n-上依次形成GaAs缓冲层2，n型AlGaAs包层3，畸变单量子阱有源层4，p型AlGaAs包层5和p型GaAs盖层6。通过气源分子束外延方法键入GaAs衬底1。此时，层4形成阱层11，其中GaInNAs在350至490℃的温度范围内在GaAa势垒层10和12之间晶体生长。此外，沉积SiNx氮化物膜，并形成电流限制层7。并且，形成p型侧电极8和n型侧电极9。此后，通过解理方法获得谐振器长度约为400μm的半导体激光器元件。
主权项	-
申请日期	1997-09-02
专利号	JP1999087848A
专利状态	失效
申请号	JP1997236791
公开（公告）号	JP1999087848A
IPC 分类号	H01L \| H01S \| H01S5/323 \| H01L33/06 \| H01L33/14 \| H01L33/10 \| H01L33/32 \| H01S5/00 \| H01L33/20 \| H01S3/18 \| H01L33/00
专利代理人	磯村雅俊 (外1名)
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/64607
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	株式会社日立製作所
推荐引用方式 GB/T 7714	近藤正彦,北谷健,中原宏治. GaInNAsを有する半導体素子の作製方法、該作製方法を用いて作製した半導体素子、および該半導体素子を用いた光通信システム. JP1999087848A[P]. 1999-03-30.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP1999087848A.PDF（81KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文