面発光半導体レーザおよびそれを用いた光送信モジュールならびにシステム

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	面発光半導体レーザおよびそれを用いた光送信モジュールならびにシステム
其他题名	面発光半導体レーザおよびそれを用いた光送信モジュールならびにシステム
	北谷健; 近藤正彦; 中原宏治; マイクラルソン
	1999-05-28
专利权人	株式会社日立製作所
公开日期	1999-05-28
授权国家	日本
专利类型	发明申请
摘要	【課題】電流狭窄層をAlAs層あるいは微少Ga組成を有するAlGaAs層の選択酸化技術を使用して作製する場合、上部反射鏡の低屈折率半導体層としてAlAsなどを用いた場合にも、電流狭窄層直上で精度よくエッチングを停止させ歩留まりを向上することが可能な、低しきい値電流で発振する面発光半導体レーザ,およびこれを用いた光送信モジュールとシステムを提供すること。【解決手段】上部反射鏡10と電流狭窄層7との間に、エッチング停止層12として燐系の化合物半導体材料、あるいは、それを少なくとも1層は含む半導体多層膜を導入する。これにより、素子作製工程における選択エッチングが可能となるとともに、上部反射鏡の反射率低下を抑制し、歩留まりのよい低しきい値電流で発振する面発光半導体レーザが得られる。また、これを用いることにより、低電力消費の光送信モジュールおよびシステムを得ることができる。
其他摘要	要解决的问题：提供表面发射半导体激光器，即使当AlAs等用作低折射率半导体时，也可以通过在电流限制层正上方以良好精度停止蚀刻来提高其制造产量当通过选择性地氧化具有精细Ga组分并且以低阈值电流振荡的AlAs层或AlGaAs层形成电流限制层时，上反射镜的层和使用半导体激光器的光发射器模块和系统。解决方案：在上反射镜10和电流限制层7之间引入包含磷基化合物半导体材料或至少一层中的材料作为蚀刻停止层12的多层半导体膜。因此，选择性蚀刻可以是在元件制造工艺中制造，同时，通过抑制反射镜10的反射率的劣化，可以高产率地获得以低阈值电流振荡的表面发射半导体激光器。此外，光学器件可以获得不消耗大量电力的发射器模块和系统。
主权项	-
申请日期	1997-11-07
专利号	JP1999145560A
专利状态	失效
申请号	JP1997305166
公开（公告）号	JP1999145560A
IPC 分类号	G11B33/12 \| G02B6/42 \| H04B10/04 \| H04B10/26 \| H04B10/06 \| G11B33/08 \| H04B10/14 \| H01S5/00 \| H04B10/28 \| B82Y20/00 \| H01S5/183 \| H04B10/40 \| H04B10/50 \| H04B10/572 \| H04B10/60 \| H01S3/18
专利代理人	磯村雅俊 (外1名)
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/60131
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	株式会社日立製作所
推荐引用方式 GB/T 7714	北谷健,近藤正彦,中原宏治,等. 面発光半導体レーザおよびそれを用いた光送信モジュールならびにシステム. JP1999145560A[P]. 1999-05-28.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP1999145560A.PDF（81KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文