半導体レーザ及び並列伝送用光送信モジュール

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	半導体レーザ及び並列伝送用光送信モジュール
其他题名	半導体レーザ及び並列伝送用光送信モジュール
	魚見和久; 中原宏治; 土屋朋信
	1997-09-05
专利权人	株式会社日立製作所
公开日期	1997-09-05
授权国家	日本
专利类型	发明申请
摘要	【課題】n型にドープされた多重量子井戸活性層を有する埋込ヘテロ型半導体レーザにおいて、n型ドープ活性層特有である埋込層の電流阻止効果と共に変調ドープ効果を保ち、低しきい電流·短キャリア寿命時間動作を実現する。【解決手段】本発明での解決手段はn型にドーピングされた多重量子井戸型半導体レーザにおいてn型の不純物から発生した多数電子の拡散を抑制するp型の第1埋込層構造、p型の第1埋込層の不純物濃度が5×1017cm~3〜5×1018cm~3の埋込構造である。【効果】変調ドープ効果を保ちながら、多数電子がBH構造の電流阻止効果を低減しない構造を提供できるので、n型ドープ多重量子井戸型BH構造半導体レーザ及びレーザアレイの低しきい値化、短キャリア寿命動作に対して効果がある。
其他摘要	种类代码：A1在具有n型掺杂多量子阱有源层的掩埋异质半导体激光器中，保持了n型掺杂有源层特有的掩埋层的电流阻挡效应和调制掺杂效应，并且具有低阈值电流·实施短载波寿命操作。 p型第一埋层结构抑制n型掺杂多量子阱半导体激光器中由n型杂质产生的大量电子的扩散，p型第一埋层的第一埋层的杂质浓度为5×10 17 cm至 3 至5×10 18 cm至 3 嵌入式结构。可以提供这样的结构，其中大量电子不会在保持调制掺杂效应的同时降低BH结构的电流阻挡效应，从而可以降低n型掺杂多量子阱型BH结构半导体激光器和激光器阵列的阈值和短路。它对载流子寿命操作有效。
主权项	-
申请日期	1996-02-20
专利号	JP1997232666A
专利状态	失效
申请号	JP1996031685
公开（公告）号	JP1997232666A
IPC 分类号	H01S5/00 \| H01S3/18
专利代理人	小川勝男
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/63911
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	株式会社日立製作所
推荐引用方式 GB/T 7714	魚見和久,中原宏治,土屋朋信. 半導体レーザ及び並列伝送用光送信モジュール. JP1997232666A[P]. 1997-09-05.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP1997232666A.PDF（35KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文