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具有(20-2-1)面的半极性氮化镓的外延层 专利
专利类型: 实用新型, 专利号: CN209029404U, 申请日期: 2019-06-25, 公开日期: 2019-06-25
发明人:  陈辰;  宋杰;  崔周源
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具有(20-2-1)面的半极性氮化镓的外延层 专利
专利类型: 实用新型, 专利号: CN209029404U, 申请日期: 2019-06-25, 公开日期: 2019-06-25
发明人:  陈辰;  宋杰;  崔周源
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半导体晶片 专利
专利类型: 实用新型, 专利号: CN208970547U, 申请日期: 2019-06-11, 公开日期: 2019-06-11
发明人:  陈辰;  宋杰;  崔周源
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半导体晶片 专利
专利类型: 实用新型, 专利号: CN208970547U, 申请日期: 2019-06-11, 公开日期: 2019-06-11
发明人:  陈辰;  宋杰;  崔周源
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具有(20-2-1)面的半极性氮化镓的外延层及其制造方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN109378369A, 申请日期: 2019-02-22, 公开日期: 2019-02-22
发明人:  陈辰;  宋杰;  崔周源
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半导体晶片及其制造方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN109378368A, 申请日期: 2019-02-22, 公开日期: 2019-02-22
发明人:  陈辰;  宋杰;  崔周源
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一种产生低散斑环形光束的光学系统 专利
专利类型: 实用新型, 专利号: CN208224631U, 申请日期: 2018-12-11, 公开日期: 2018-12-11
发明人:  陈琛
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一种边发射高速半导体激光器芯片 专利
专利类型: 实用新型, 专利号: CN206542066U, 申请日期: 2017-10-03, 公开日期: 2017-10-03
发明人:  周志强;  陈宇晨;  王任凡
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一种边发射高速半导体激光器芯片 专利
专利类型: 实用新型, 专利号: CN206542066U, 申请日期: 2017-10-03, 公开日期: 2017-10-03
发明人:  周志强;  陈宇晨;  王任凡
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位置敏感探测器定位误差的标定装置 专利
专利类型: 实用新型, 专利号: CN205300497U, 申请日期: 2016-06-08, 公开日期: 2016-06-08
发明人:  王涛;  赵建科;  田留德;  周艳;  潘亮;  陈琛;  段亚轩;  赵怀学
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