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中国科学院西安光学精密机械研究所机构知识库
Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
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具有(20-2-1)面的半极性氮化镓的外延层
专利
专利类型: 实用新型, 专利号: CN209029404U, 申请日期: 2019-06-25, 公开日期: 2019-06-25
发明人:
陈辰
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宋杰
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崔周源
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提交时间:2019/12/26
具有(20-2-1)面的半极性氮化镓的外延层
专利
专利类型: 实用新型, 专利号: CN209029404U, 申请日期: 2019-06-25, 公开日期: 2019-06-25
发明人:
陈辰
;
宋杰
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崔周源
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提交时间:2019/12/26
半导体晶片
专利
专利类型: 实用新型, 专利号: CN208970547U, 申请日期: 2019-06-11, 公开日期: 2019-06-11
发明人:
陈辰
;
宋杰
;
崔周源
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提交时间:2019/12/26
半导体晶片
专利
专利类型: 实用新型, 专利号: CN208970547U, 申请日期: 2019-06-11, 公开日期: 2019-06-11
发明人:
陈辰
;
宋杰
;
崔周源
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提交时间:2019/12/26
具有(20-2-1)面的半极性氮化镓的外延层及其制造方法
专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN109378369A, 申请日期: 2019-02-22, 公开日期: 2019-02-22
发明人:
陈辰
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宋杰
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崔周源
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提交时间:2020/01/18
半导体晶片及其制造方法
专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN109378368A, 申请日期: 2019-02-22, 公开日期: 2019-02-22
发明人:
陈辰
;
宋杰
;
崔周源
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提交时间:2020/01/18