具有(20-2-1)面的半极性氮化镓的外延层及其制造方法

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	具有(20-2-1)面的半极性氮化镓的外延层及其制造方法
其他题名	具有(20-2-1)面的半极性氮化镓的外延层及其制造方法
	陈辰; 宋杰; 崔周源
	2019-02-22
专利权人	西安赛富乐斯半导体科技有限公司
公开日期	2019-02-22
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	本公开涉及一种用于在衬底上形成具有(2021)取向的半极性氮化镓的外延层的方法，包括：在PSS的晶体生长表面生长平行于所述衬底的加工表面的具有(2021)取向的第一半极性氮化镓外延层；在第一半极性氮化镓外延层的表面采用氢化物气相外延(HVPE)方法生长具有(2021)取向的厚度不小于0.1mm的第二半极性氮化镓外延层；整体剥离所述第一半极性氮化镓外延层和第二半极性氮化镓外延层；以及通过化学‑机械抛光法(CMP)对所剥离下来的所述第一半极性氮化镓外延层的面向图案化蓝宝石衬底的表面进行平坦化处理，从而获得具有(2021)取向表面的半极性氮化镓外延层。
其他摘要	本公开涉及一种用于在衬底上形成具有(2021)取向的半极性氮化镓的外延层的方法，包括：在PSS的晶体生长表面生长平行于所述衬底的加工表面的具有(2021)取向的第一半极性氮化镓外延层；在第一半极性氮化镓外延层的表面采用氢化物气相外延(HVPE)方法生长具有(2021)取向的厚度不小于0.1mm的第二半极性氮化镓外延层；整体剥离所述第一半极性氮化镓外延层和第二半极性氮化镓外延层；以及通过化学‑机械抛光法(CMP)对所剥离下来的所述第一半极性氮化镓外延层的面向图案化蓝宝石衬底的表面进行平坦化处理，从而获得具有(2021)取向表面的半极性氮化镓外延层。
申请日期	2018-12-04
专利号	CN109378369A
专利状态	申请中
申请号	CN201811472366.3
公开（公告）号	CN109378369A
IPC 分类号	H01L33/00 \| H01L33/16 \| H01L33/18 \| H01L33/32 \| H01S5/30
专利代理人	黄剑飞
代理机构	北京金讯知识产权代理事务所(特殊普通合伙)
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/92333
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	西安赛富乐斯半导体科技有限公司
推荐引用方式 GB/T 7714	陈辰,宋杰,崔周源. 具有(20-2-1)面的半极性氮化镓的外延层及其制造方法. CN109378369A[P]. 2019-02-22.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN109378369A.PDF（854KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文