半导体晶片及其制造方法

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	半导体晶片及其制造方法
其他题名	半导体晶片及其制造方法
	陈辰; 宋杰; 崔周源
	2019-02-22
专利权人	西安赛富乐斯半导体科技有限公司
公开日期	2019-02-22
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	本公开涉及一种在PSS衬底上沿半极性面外延生长GaN基片的方法，包括：在PSS衬底上在处理腔室内的第一温度环境下沿着半极性面外延生长成平坦的第一GaN半导体层；停止施加Ga载气，在处理腔室内第三温度环境下施加Si载气，从而采用MOCVD方式在第一GaN半导体层表面生成第三厚度的氮化硅层；停止施加硅载气，并将处理腔室内温度升高到第四温度从而使得氮化硅层部分熔化而形成氮化硅岛体；在第一温度下，在之前生成的第一GaN半导体层的表面以及氮化硅岛体的侧壁上继续外延生长形成第一GaN半导体层，直到最后包裹并覆盖氮化硅岛体后到第一厚度为止；以及在处理腔室内第二温度环境下沿着半极性面继续外延生长第二GaN半导体层到第二厚度为止。
其他摘要	本公开涉及一种在PSS衬底上沿半极性面外延生长GaN基片的方法，包括：在PSS衬底上在处理腔室内的第一温度环境下沿着半极性面外延生长成平坦的第一GaN半导体层；停止施加Ga载气，在处理腔室内第三温度环境下施加Si载气，从而采用MOCVD方式在第一GaN半导体层表面生成第三厚度的氮化硅层；停止施加硅载气，并将处理腔室内温度升高到第四温度从而使得氮化硅层部分熔化而形成氮化硅岛体；在第一温度下，在之前生成的第一GaN半导体层的表面以及氮化硅岛体的侧壁上继续外延生长形成第一GaN半导体层，直到最后包裹并覆盖氮化硅岛体后到第一厚度为止；以及在处理腔室内第二温度环境下沿着半极性面继续外延生长第二GaN半导体层到第二厚度为止。
申请日期	2018-12-04
专利号	CN109378368A
专利状态	申请中
申请号	CN201811472350.2
公开（公告）号	CN109378368A
IPC 分类号	H01L33/00 \| H01L33/02 \| H01L33/16 \| H01L33/20 \| H01S5/30 \| B82Y40/00
专利代理人	黄剑飞
代理机构	北京金讯知识产权代理事务所(特殊普通合伙)
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/92334
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	西安赛富乐斯半导体科技有限公司
推荐引用方式 GB/T 7714	陈辰,宋杰,崔周源. 半导体晶片及其制造方法. CN109378368A[P]. 2019-02-22.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN109378368A.PDF（560KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文