Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 半导体晶片 | |
| 其他题名 | 半导体晶片 |
| 陈辰; 宋杰; 崔周源 | |
| 2019-06-11 | |
| 专利权人 | 西安赛富乐斯半导体科技有限公司 |
| 公开日期 | 2019-06-11 |
| 授权国家 | 中国 |
| 专利类型 | 实用新型 |
| 摘要 | 本公开涉及一种半导体晶片，其包括：含有半极性面的PSS衬底；第一GaN半导体层，外延生长在PSS衬底的半极性面上，并具有第一厚度第二GaN半导体层，外延生长在第一GaN半导体层表面上，具有第二厚度，其中所述第二GaN半导体层与第一GaN半导体层之间有阻断第一GaN半导体层内的穿透位错的氮化硅岛体。 |
| 其他摘要 | 本公开涉及一种半导体晶片，其包括：含有半极性面的PSS衬底；第一GaN半导体层，外延生长在PSS衬底的半极性面上，并具有第一厚度第二GaN半导体层，外延生长在第一GaN半导体层表面上，具有第二厚度，其中所述第二GaN半导体层与第一GaN半导体层之间有阻断第一GaN半导体层内的穿透位错的氮化硅岛体。 |
| 申请日期 | 2018-12-04 |
| 专利号 | CN208970547U |
| 专利状态 | 授权 |
| 申请号 | CN201822029819.7 |
| 公开（公告）号 | CN208970547U |
| IPC 分类号 | H01L33/02 | H01L33/16 | H01L33/20 | H01L33/00 | H01S5/30 | B82Y40/00 |
| 专利代理人 | 黄剑飞 |
| 代理机构 | 北京金讯知识产权代理事务所(特殊普通合伙) |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/49405 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 西安赛富乐斯半导体科技有限公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 陈辰,宋杰,崔周源. 半导体晶片. CN208970547U[P]. 2019-06-11. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| CN208970547U.PDF（493KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
| 个性服务 |
| 推荐该条目 |
| 保存到收藏夹 |
| 查看访问统计 |
| 导出为Endnote文件 |
| 谷歌学术 |
| 谷歌学术中相似的文章 |
| [陈辰]的文章 |
| [宋杰]的文章 |
| [崔周源]的文章 |
| 百度学术 |
| 百度学术中相似的文章 |
| [陈辰]的文章 |
| [宋杰]的文章 |
| [崔周源]的文章 |
| 必应学术 |
| 必应学术中相似的文章 |
| [陈辰]的文章 |
| [宋杰]的文章 |
| [崔周源]的文章 |
| 相关权益政策 |
| 暂无数据 |
| 收藏/分享 |
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。
修改评论