一种边发射高速半导体激光器芯片

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	一种边发射高速半导体激光器芯片
其他题名	一种边发射高速半导体激光器芯片
	周志强; 陈宇晨; 王任凡
	2017-10-03
专利权人	武汉光迅科技股份有限公司
公开日期	2017-10-03
授权国家	中国
专利类型	实用新型
摘要	本实用新型涉及激光器技术领域，提供了一种边发射高速半导体激光器芯片。其中激光器芯片结构包括：下覆盖层2、下波导层3、有源区4、上波导层5、上覆盖层15和接触层16，下波导层3、有源区4和上波导层5区域注入有第一离子，相应注入有第一离子区域为无源波导区；接触层16和覆盖层15的第二边缘区域注入有第二离子；其中，第二边缘区域位于第一离子区域之上。本实用新型实施例针对短腔长半导体激光器难解理及夹条的工艺问题，采用量子阱混杂第一离子后集成获得的无源波导区解决，本实用新型所采用的结构，在材料外延生长次数上相比背景技术中提到的对接耦合技术更少，制作工艺简单，且有源区与无源波导区材料相同，避免了界面反射的问题。
其他摘要	本实用新型涉及激光器技术领域，提供了一种边发射高速半导体激光器芯片。其中激光器芯片结构包括：下覆盖层2、下波导层3、有源区4、上波导层5、上覆盖层15和接触层16，下波导层3、有源区4和上波导层5区域注入有第一离子，相应注入有第一离子区域为无源波导区；接触层16和覆盖层15的第二边缘区域注入有第二离子；其中，第二边缘区域位于第一离子区域之上。本实用新型实施例针对短腔长半导体激光器难解理及夹条的工艺问题，采用量子阱混杂第一离子后集成获得的无源波导区解决，本实用新型所采用的结构，在材料外延生长次数上相比背景技术中提到的对接耦合技术更少，制作工艺简单，且有源区与无源波导区材料相同，避免了界面反射的问题。
申请日期	2017-02-28
专利号	CN206542066U
专利状态	授权
申请号	CN201720188026.2
公开（公告）号	CN206542066U
IPC 分类号	H01S5/04 \| H01S5/10 \| H01S5/343
专利代理人	何婷
代理机构	深圳市爱迪森知识产权代理事务所(普通合伙)
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/50290
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	武汉光迅科技股份有限公司
推荐引用方式 GB/T 7714	周志强,陈宇晨,王任凡. 一种边发射高速半导体激光器芯片. CN206542066U[P]. 2017-10-03.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN206542066U.PDF（119KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文