中文版 | English

在结果中检索

OPT OpenIR

浏览/检索结果: 共42条，第1-10条 帮助

限定条件                
已选(0)清除 条数/页：   排序方式：
多波长硅基III-V族混合集成激光器、其阵列单元和制备方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN110289553A, 申请日期: 2019-09-27, 公开日期: 2019-09-27
发明人:  郑婉华;  孟然哲;  王海玲;  王明金
Adobe PDF(611Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：139/0  |  提交时间：2020/01/18
基于纳米压印光栅的两步干法刻蚀方法及外延片和激光器 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN106099637B, 申请日期: 2019-09-24, 公开日期: 2019-09-24
发明人:  王海丽;  赵懿昊;  张奇;  仲莉;  刘素平;  马骁宇
Adobe PDF(944Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：134/0  |  提交时间：2019/12/26
基于纳米压印光栅的二次干法刻蚀方法及外延片和激光器 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN106025795B, 申请日期: 2019-09-24, 公开日期: 2019-09-24
发明人:  王海丽;  赵懿昊;  张奇;  王文知;  仲莉;  刘素平;  马骁宇
Adobe PDF(853Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：134/0  |  提交时间：2019/12/26
基于纳米压印光栅的二次干法刻蚀方法及外延片和激光器 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN106025795B, 申请日期: 2019-09-24, 公开日期: 2019-09-24
发明人:  王海丽;  赵懿昊;  张奇;  王文知;  仲莉;  刘素平;  马骁宇
Adobe PDF(853Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：129/0  |  提交时间：2019/12/26
基于纳米压印光栅的两步干法刻蚀方法及外延片和激光器 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN106099637B, 申请日期: 2019-09-24, 公开日期: 2019-09-24
发明人:  王海丽;  赵懿昊;  张奇;  仲莉;  刘素平;  马骁宇
Adobe PDF(944Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：145/0  |  提交时间：2019/12/26
可應用於移動前端的雷射晶片及雷射二極體 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: TW201935791A, 申请日期: 2019-09-01, 公开日期: 2019-09-01
发明人:  黃英勳;  王海琳;  許俸鳴;  塗晟達;  陳聰謀;  史泰爵
Adobe PDF(1492Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：102/0  |  提交时间：2020/01/18
硅基混合集成激光器阵列及其制备方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN109560462A, 申请日期: 2019-04-02, 公开日期: 2019-04-02
发明人:  郑婉华;  王海玲;  王明金;  石涛;  孟然哲
Adobe PDF(891Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：87/0  |  提交时间：2020/01/18
一种用于LED显示屏的半导体激光器 专利
专利类型: 实用新型, 专利号: CN208539335U, 申请日期: 2019-02-22, 公开日期: 2019-02-22
发明人:  王海涛
Adobe PDF(392Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：39/0  |  提交时间：2020/01/13
一种球型半导体激光器 专利
专利类型: 实用新型, 专利号: CN208336806U, 申请日期: 2019-01-04, 公开日期: 2019-01-04
发明人:  王海涛
Adobe PDF(381Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：55/0  |  提交时间：2019/12/24
可應用於移動前端的雷射晶片及雷射二極體 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: TWI646742B, 申请日期: 2019-01-01, 公开日期: 2019
发明人:  黃英勳;  王海琳;  許俸鳴;  塗晟達;  陳聰謀;  史泰爵
Adobe PDF(769Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：85/0  |  提交时间：2019/12/26