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可應用於移動前端的雷射晶片及雷射二極體
其他题名可應用於移動前端的雷射晶片及雷射二極體
黃英勳; 王海琳; 許俸鳴; 塗晟達; 陳聰謀; 史泰爵
2019
专利权人中華電信股份有限公司
公开日期2019
授权国家中国台湾
专利类型授权发明
摘要一種可應用於移動前端的雷射晶片及雷射二極體,採脊型波導結構,分為放大區及工作區,放大區之端面反射率降至0.1%以下,工作區之端面反射率提升至99%以上。入射光注入到放大區,提高光功率,以利在工作區鎖模。工作區被鎖模後產生與入射光相同的波長,在工作區加上調變訊號,達到傳送訊號之目的。
其他摘要一種可應用於移動前端的雷射晶片及雷射二極體,採脊型波導結構,分為放大區及工作區,放大區之端面反射率降至0.1%以下,工作區之端面反射率提升至99%以上。入射光注入到放大區,提高光功率,以利在工作區鎖模。工作區被鎖模後產生與入射光相同的波長,在工作區加上調變訊號,達到傳送訊號之目的。
申请日期2018-02-06
专利号TWI646742B
专利状态授权
申请号TW107104215
公开(公告)号TWI646742B
IPC 分类号H01S5/22 | H01S5/32
专利代理人葉璟宗 | 卓俊傑
代理机构-
文献类型专利
条目标识符http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/49344
专题半导体激光器专利数据库
作者单位中華電信股份有限公司
推荐引用方式
GB/T 7714
黃英勳,王海琳,許俸鳴,等. 可應用於移動前端的雷射晶片及雷射二極體. TWI646742B[P]. 2019-01-01.
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