多波长硅基III-V族混合集成激光器、其阵列单元和制备方法

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	多波长硅基III-V族混合集成激光器、其阵列单元和制备方法
其他题名	多波长硅基III-V族混合集成激光器、其阵列单元和制备方法
	郑婉华; 孟然哲; 王海玲; 王明金
	2019-09-27
专利权人	中国科学院半导体研究所
公开日期	2019-09-27
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	一种多波长硅基III‑V族混合集成激光器、其阵列单元和制备方法，该硅基III‑V族混合集成激光器阵列单元包括III‑V半导体外延层和与其连接的SOI基底，其中，III‑V半导体外延层上设有若干个III‑V波导、若干个P电极和N电极；SOI基底上设有激光输出组件。本发明的硅基混合集成激光器阵列中每个阵列波导采用多个波导耦合进一个硅波导作为单波长输出，从而提高了激光的输出功率。
其他摘要	一种多波长硅基III‑V族混合集成激光器、其阵列单元和制备方法，该硅基III‑V族混合集成激光器阵列单元包括III‑V半导体外延层和与其连接的SOI基底，其中，III‑V半导体外延层上设有若干个III‑V波导、若干个P电极和N电极；SOI基底上设有激光输出组件。本发明的硅基混合集成激光器阵列中每个阵列波导采用多个波导耦合进一个硅波导作为单波长输出，从而提高了激光的输出功率。
申请日期	2019-06-25
专利号	CN110289553A
专利状态	申请中
申请号	CN201910558180.8
公开（公告）号	CN110289553A
IPC 分类号	H01S5/22 \| H01S5/10 \| H01S5/30 \| H01S5/02
专利代理人	喻颖
代理机构	中科专利商标代理有限责任公司
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/92474
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	中国科学院半导体研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	郑婉华,孟然哲,王海玲,等. 多波长硅基III-V族混合集成激光器、其阵列单元和制备方法. CN110289553A[P]. 2019-09-27.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN110289553A.PDF（611KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文