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Broadband near-infrared emission in Tm3+-Dy3+ codoped amorphous chalcohalide films fabricated by pulsed laser deposition 期刊论文
OPTICS EXPRESS, 2011, 卷号: 19, 期号: 27, 页码: 26529-26535
作者:  Yang, Senlin;  Wang, Xuefeng;  Guo, Haitao;  Dong, Guoping;  Peng, Bo;  Qiu, Jianrong;  Zhang, Rong;  Shi, Yi
Adobe PDF(1071Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：575/4  |  提交时间：2012/06/29
Growth of short-period InAs/GaSb superlattices for infrared sensing 期刊论文
JOURNAL OF INFRARED AND MILLIMETER WAVES, 2011, 卷号: 30, 期号: 6, 页码: 511-+
作者:  Wang Tao;  Yang Jin;  Yin Fei;  Wang Jing-Wei;  Hu Ya-Nan;  Zhang Li-Chen;  Yin Jing-Zhi
Adobe PDF(642Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：180/4  |  提交时间：2015/09/28
Inas/gasb Superlattice  Band Gap  Metal Organic Chemical Vapor Deposition (Mocvd)  Atomic Force Microscope(Afm)  Pl Spectra  
InAs/GaSb type-II superlattice grown by MOCVD for long-wavelength infrared detection 期刊论文
OPTOELECTRONICS AND ADVANCED MATERIALS-RAPID COMMUNICATIONS, 2011, 卷号: 5, 期号: 9, 页码: 1017-1020
作者:  Xin, Liwei;  Wang, Tao;  Yang, Jin;  Wang, Jingwei;  Yin, Fei;  Hu, Yanan;  Jiao, Guohua;  Zhang, Lichen;  Yin, Jingzhi;  Song, Zhenyu
Microsoft Word(386Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：426/6  |  提交时间：2014/01/07
B1.inas/gasb  A3.superlattices  A3.source Flux Control  A3.mocvd  A1.pl Spectra  
Laser diode with high indium active layer and lattice matched cladding layer 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: US8000366, 申请日期: 2011-08-16, 公开日期: 2011-08-16
发明人:  BOUR, DAVID P.;  CHUA, CHRISTOPHER L.;  JOHNSON, NOBLE M.;  YANG, ZHIHONG
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Optical Properties of Quantum-Confined Semiconductor Structures Driven by Strong Terahertz Fields 专著章节/文集论文
出自: Femtosecond-Scale Optics, Croatia:InTech Open Access Publisher, 2011, 页码: 355-380
作者:  Zhang TY(张同意);  Zhao W(赵卫)
Adobe PDF(1839Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：703/8  |  提交时间：2011/12/24
Semiconductor layer structure with superlattice 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: US7893424, 申请日期: 2011-02-22, 公开日期: 2011-02-22
发明人:  EICHLER, CHRISTOPH;  LELL, ALFRED;  MILER, ANDREAS;  SCHILLGALIES, MARC
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高响应度GaAs-MSM光电自混频面阵器件 期刊论文
激光与红外, 2011, 期号: 08, 页码: 925-928
作者:  张立臣;  汪韬;  尹飞;  杨瑾;  胡雅楠
Adobe PDF(611Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：523/5  |  提交时间：2012/06/29
光电集成  光电自混频器  金属有机气象外延  Gaas-msm  
InAs/GaSb superlattices grown by LP-MOCVD for similar to 10 mu m wavelength infrared range 期刊论文
INFRARED PHYSICS & TECHNOLOGY, 2011, 卷号: 54, 期号: 6, 页码: 478-481
作者:  ChangYuchun;  WangTao;  YinFei;  WangJingwei;  SongZhenyu;  WangYiding;  YinJingzhi;  Jingzhi Yin
Adobe PDF(700Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：553/6  |  提交时间：2012/06/29
Inas/gasb Superlattices  Inassb Interface Layer  Growth Temperature  Lp-mocvd