| 高响应度GaAs-MSM光电自混频面阵器件 |
| 张立臣; 汪韬; 尹飞 ; 杨瑾; 胡雅楠
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| 作者部门 | 光电子学研究室
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| 2011
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| 发表期刊 | 激光与红外
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| ISSN | 1001-5078
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| 期号 | 08页码:925-928 |
| 产权排序 | 1
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| 摘要 | 采用LP-MOCVD方法生长并制作了GaAs基底肖特基势 垒的MSM光电自混频器件。器件为面阵式结构,象元数目为32×32。对器件的光电参数进行测试分析,器件的响应度在偏压为3 V时,达到8.25 A/W,暗电流小于18 nA,对应的光电流密度为59.1μA/cm2,单点饱和输入光功率为1μW。测试瞬态响应,器件响应峰值上升沿为212 ps,半峰宽372 ps,对应响应频率大于1.65 GHz,具有很好的应用前景。 |
| 关键词 | 光电集成
光电自混频器
金属有机气象外延
Gaas-msm
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| 收录类别 | CNKI
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| 语种 | 中文
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| 项目资助者 | 国家自然科学基金; 西部之光
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| 文献类型 | 期刊论文
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| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/19950
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| 专题 | 光电子学研究室
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推荐引用方式
GB/T 7714 |
张立臣,汪韬,尹飞,等. 高响应度GaAs-MSM光电自混频面阵器件[J]. 激光与红外,2011(08):925-928.
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| APA |
张立臣,汪韬,尹飞,杨瑾,&胡雅楠.(2011).高响应度GaAs-MSM光电自混频面阵器件.激光与红外(08),925-928.
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| MLA |
张立臣,et al."高响应度GaAs-MSM光电自混频面阵器件".激光与红外 .08(2011):925-928.
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