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808 nm broad-area laser diodes designed for high efficiency at high-temperature operation 期刊论文
SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY, 2021, 卷号: 36, 期号: 10
作者:  Lan, Yu;  Yang, Guowen;  Liu, Yuxian;  Zhao, Yuliang;  Wang, Zhenfu;  Li, Te;  Demir, Abdullah
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semiconductor laser  laser diode  high power  high efficiency  808 nm  
High-power operation and lateral divergence angle reduction of broad-area laser diodes at 976 nm 期刊论文
Optics and Laser Technology, 2021, 卷号: 141
作者:  Liu, Yuxian;  Yang, Guowen;  Wang, Zhenfu;  Li, Te;  Tang, Song;  Zhao, Yuliang;  Lan, Yu;  Demir, Abdullah
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Semiconductor laser  Diode laser  High power  High efficiency  Low divergence angle  High brightness  976 nm  
High Efficiency 1.9 kW Single Diode Laser Bar Epitaxially Stacked with a Tunnel Junction 期刊论文
IEEE Photonics Journal, 2021, 卷号: 13, 期号: 3
作者:  Zhao, Yuliang;  Wang, Zhenfu;  Demir, Abdullah;  Yang, Guowen;  Ma, Shufang;  Xu, Bingshe;  Sun, Cheng;  Li, Bo;  Qiu, Bocang
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semiconductor laser  diode laser bar  high power  power conversion efficiency  tunnel junction  
高功率准连续半导体激光阵列中应变对独立发光点性能的影响 期刊论文
光子学报, 2020, 卷号: 49, 期号: 9
作者:  李波;  王贞福;  仇伯仓;  杨国文;  李特;  赵宇亮;  刘育衔;  王刚;  白少博
Adobe PDF(2555Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：207/2  |  提交时间：2020/10/27
高功率半导体激光阵列  独立发光点  应变  微通道  光电特性