高功率准连续半导体激光阵列中应变对独立发光点性能的影响

doi:10.3788/gzxb20204909.0914001

OPT OpenIR > 瞬态光学研究室

	高功率准连续半导体激光阵列中应变对独立发光点性能的影响
其他题名	Influence of Strain on Performance of Independent Emitters in High Power Quasi-continuous Semiconductor Laser Array
	李波 1,2; 王贞福1 ; 仇伯仓 1; 杨国文1,2 ; 李特 1; 赵宇亮 1,2; 刘育衔 1,2; 王刚 1,2; 白少博 1
作者部门	瞬态光学研究室
	2020-09-01
发表期刊	光子学报
ISSN	10044213
卷号	49 期号:9
产权排序	1
摘要	为了解决阵列中每个发光点性能分布不均的问题,研究了微通道水冷封装的960nm半导体激光器阵列,阵列包含38个发光点,腔长为2mm,在驱动电流为600A、占空比为10%的条件下,输出的峰值功率达到665.6 W,电光转换效率为63.8%,中心波长为959.5nm.通过对应力的理论分析,给出了各个发光点应变的表达式;通过搭建单点测试系统获得阵列中每个发光点的阈值电流、斜率效率、光谱和功率等光电特性;结合应变理论分析可知,器件中发光点的性能与应变大小和类型密切相关,压应变会导致器件波长蓝移、阈值电流降低、功率和斜率效率升高,张应变会导致波长红移、阈值电流升高、功率和斜率效率降低.研究表明,影响器件内部发光点的性能不仅与热效应有关,而且与封装后残余的应变密切相关,通过应力的分布可以预测阵列性能的变化规律,可为高峰值功率、高可靠性的半导体激光阵列的研制提供参考.
关键词	高功率半导体激光阵列独立发光点应变微通道光电特性
DOI	10.3788/gzxb20204909.0914001
收录类别	EI ; CSCD
语种	中文
CSCD记录号	CSCD:6812032
EI入藏号	20203909225456
引用统计	被引频次：1[CSCD] [CSCD记录]
文献类型	期刊论文
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/93710
专题	瞬态光学研究室
通讯作者	王贞福
作者单位	1.中国科学院西安光学精密机械研究所瞬态光学与光子技术国家点实验室 2.中国科学院大学
第一作者单位	中国科学院西安光学精密机械研究所
通讯作者单位	中国科学院西安光学精密机械研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	李波,王贞福,仇伯仓,等. 高功率准连续半导体激光阵列中应变对独立发光点性能的影响[J]. 光子学报,2020,49(9).
APA	李波.,王贞福.,仇伯仓.,杨国文.,李特.,...&白少博.(2020).高功率准连续半导体激光阵列中应变对独立发光点性能的影响.光子学报,49(9).
MLA	李波,et al."高功率准连续半导体激光阵列中应变对独立发光点性能的影响".光子学报 49.9(2020).

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高功率准连续半导体激光阵列中应变对独立发（2555KB）	期刊论文	出版稿	限制开放	CC BY-NC-SA	请求全文