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面発光レーザとその作製方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP2000353858A, 申请日期: 2000-12-19, 公开日期: 2000-12-19
发明人:  舘野 功太;  大礒 義孝;  植之原 裕行;  香川 俊明
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Method of improving laser yield for target wavelengths in epitaxial InGaAsP lasers based upon the thermal conductivity of the InP substrate 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: US6159758, 申请日期: 2000-12-12, 公开日期: 2000-12-12
发明人:  EBERT, CHRIS W.;  GRAY, MARY L.;  GRIM-BOGDAN, KAREN A.;  SEILER, JOSEPH BRIAN;  TZAFARAS, NIKOLAOS
Adobe PDF(72Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：50/0  |  提交时间：2019/12/26
ファイバ/導波路-鏡-レンズアラインメント装置 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP3137958B2, 申请日期: 2000-12-08, 公开日期: 2001-02-26
发明人:  ディーン·トラン;  エリック·アール·アンダーソン;  ロナルド·エル·ストリイェク;  エドワード·エイ·レゼク
Adobe PDF(63Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：88/0  |  提交时间：2019/12/24
半導体レーザ素子の製造方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP2000340884A, 申请日期: 2000-12-08, 公开日期: 2000-12-08
发明人:  張 保平;  山本 三郎
Adobe PDF(52Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：35/0  |  提交时间：2020/01/13
半導体レーザの製造方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP2000340889A, 申请日期: 2000-12-08, 公开日期: 2000-12-08
发明人:  高井 徹
Adobe PDF(42Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：23/0  |  提交时间：2020/01/18
半導体レーザ素子 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP2000340890A, 申请日期: 2000-12-08, 公开日期: 2000-12-08
发明人:  荒木田 孝博;  宮坂 文人;  正野 篤士;  多田 健太郎;  大沢 洋一;  堀田 等
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埋込み構造半導体レーザの製造方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP3132054B2, 申请日期: 2000-11-24, 公开日期: 2001-02-05
发明人:  近藤 康洋
Adobe PDF(33Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：44/0  |  提交时间：2019/12/26
発光素子モジュール 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP2000323787A, 申请日期: 2000-11-24, 公开日期: 2000-11-24
发明人:  加藤 隆志
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Monolitisch-integrierte Anordnung von lichtemittierendem Element und externem Modulator/lichtempfindlichem Element 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: DE69610675D1, 申请日期: 2000-11-23, 公开日期: 2000-11-23
发明人:  KINOSHITA JUNICHI
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リッジ導波路型半導体レーザおよびその製造方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP2000307192A, 申请日期: 2000-11-02, 公开日期: 2000-11-02
发明人:  小林 正男
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