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中国科学院西安光学精密机械研究所机构知识库
Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
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1999 [1]
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半導体レーザ装置
专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP2007005375A, 申请日期: 2007-01-11, 公开日期: 2007-01-11
发明人:
伊藤 晋
;
山本 三郎
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提交时间:2020/01/18
半導体レーザ
专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP2006222294A, 申请日期: 2006-08-24, 公开日期: 2006-08-24
发明人:
山本 三郎
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提交时间:2020/01/18
光扫描装置及图像形成装置
专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN1774660A, 申请日期: 2006-05-17, 公开日期: 2006-05-17
发明人:
吉川智延
;
山本义春
;
松木大三郎
Adobe PDF(1287Kb)
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浏览/下载:32/0
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提交时间:2020/01/18
半導体レーザ装置およびその製造方法
专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP2005259946A, 申请日期: 2005-09-22, 公开日期: 2005-09-22
发明人:
山本 三郎
;
伊藤 晋
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提交时间:2020/01/13
半導体レーザ素子の製造方法
专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP2000340884A, 申请日期: 2000-12-08, 公开日期: 2000-12-08
发明人:
張 保平
;
山本 三郎
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提交时间:2020/01/13
半導体レーザ装置
专利
专利类型: 授权发明, 授权发明, 授权发明, 授权发明, 授权发明, 授权发明, 授权发明, 授权发明, 授权发明, 授权发明, 授权发明, 授权发明, 授权发明, 授权发明, 授权发明, 授权发明, 授权发明, 授权发明, 授权发明, 授权发明, 授权发明, 授权发明, 授权发明, 授权发明, 授权发明, 授权发明, 授权发明, 授权发明, 授权发明, 授权发明, 授权发明, 授权发明, 授权发明, 授权发明, 授权发明, 授权发明, 授权发明, 授权发明, 授权发明, 授权发明, 授权发明, 授权发明, 授权发明, 授权发明, 授权发明, 授权发明, 授权发明, 授权发明, 授权发明, 授权发明, 授权发明, 授权发明, 授权发明, 授权发明, 授权发明, 授权发明, 授权发明, 授权发明, 授权发明, 授权发明, 授权发明, 授权发明, 授权发明, 授权发明, 专利号: JP3129973B2, JP3129973B2, JP3129973B2, JP3129973B2, JP3129973B2, JP3129973B2, JP3129973B2, JP3129973B2, JP3129973B2, JP3129973B2, JP3129973B2, JP3129973B2, JP3129973B2, JP3129973B2, JP3129973B2, JP3129973B2, JP3129973B2, JP3129973B2, JP3129973B2, JP3129973B2, JP3129973B2, JP3129973B2, JP3129973B2, JP3129973B2, JP3129973B2, JP3129973B2, JP3129973B2, JP3129973B2, JP3129973B2, JP3129973B2, JP3129973B2, JP3129973B2, JP3129973B2, JP3129973B2, JP3129973B2, JP3129973B2, JP3129973B2, JP3129973B2, JP3129973B2, JP3129973B2, JP3129973B2, JP3129973B2, JP3129973B2, JP3129973B2, JP3129973B2, JP3129973B2, JP3129973B2, JP3129973B2, JP3129973B2, JP3129973B2, JP3129973B2, JP3129973B2, JP3129973B2, JP3129973B2, JP3129973B2, JP3129973B2, JP3129973B2, JP3129973B2, JP3129973B2, JP3129973B2, JP3129973B2, JP3129973B2, JP3129973B2, JP3129973B2, 申请日期: 2000-11-17, 2000-11-17, 2000-11-17, 2000-11-17, 2000-11-17, 2000-11-17, 2000-11-17, 2000-11-17, 2000-11-17, 2000-11-17, 2000-11-17, 2000-11-17, 2000-11-17, 2000-11-17, 2000-11-17, 2000-11-17, 2000-11-17, 2000-11-17, 2000-11-17, 2000-11-17, 2000-11-17, 2000-11-17, 2000-11-17, 2000-11-17, 2000-11-17, 2000-11-17, 2000-11-17, 2000-11-17, 2000-11-17, 2000-11-17, 2000-11-17, 2000-11-17, 2000-11-17, 2000-11-17, 2000-11-17, 2000-11-17, 2000-11-17, 2000-11-17, 2000-11-17, 2000-11-17, 2000-11-17, 2000-11-17, 2000-11-17, 2000-11-17, 2000-11-17, 2000-11-17, 2000-11-17, 2000-11-17, 2000-11-17, 2000-11-17, 2000-11-17, 2000-11-17, 2000-11-17, 2000-11-17, 2000-11-17, 2000-11-17, 2000-11-17, 2000-11-17, 2000-11-17, 2000-11-17, 2000-11-17, 2000-11-17, 2000-11-17, 2000-11-17, 公开日期: 2001-01-31, 2001-01-31, 2001-01-31, 2001-01-31, 2001-01-31, 2001-01-31, 2001-01-31, 2001-01-31, 2001-01-31, 2001-01-31, 2001-01-31, 2001-01-31, 2001-01-31, 2001-01-31, 2001-01-31, 2001-01-31, 2001-01-31, 2001-01-31, 2001-01-31, 2001-01-31, 2001-01-31, 2001-01-31, 2001-01-31, 2001-01-31, 2001-01-31, 2001-01-31, 2001-01-31, 2001-01-31, 2001-01-31, 2001-01-31, 2001-01-31, 2001-01-31, 2001-01-31, 2001-01-31, 2001-01-31, 2001-01-31, 2001-01-31, 2001-01-31, 2001-01-31, 2001-01-31, 2001-01-31, 2001-01-31, 2001-01-31, 2001-01-31, 2001-01-31, 2001-01-31, 2001-01-31, 2001-01-31, 2001-01-31, 2001-01-31, 2001-01-31, 2001-01-31, 2001-01-31, 2001-01-31, 2001-01-31, 2001-01-31, 2001-01-31, 2001-01-31, 2001-01-31, 2001-01-31, 2001-01-31, 2001-01-31, 2001-01-31, 2001-01-31
发明人:
河西 秀典
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森本 泰司
;
兼岩 進治
;
林 寛
;
宮内 伸幸
;
矢野 盛規
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塩本 武弘
;
佐々木 和明
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松本 晃広
;
近藤 正樹
;
山本 三郎
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提交时间:2019/12/23
半導体レーザ素子及びその製造方法
专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP2000269589A, 申请日期: 2000-09-29, 公开日期: 2000-09-29
发明人:
山本 三郎
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提交时间:2020/01/13
半導体レーザ素子
专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1999026873A, 申请日期: 1999-01-29, 公开日期: 1999-01-29
发明人:
山本 三郎
;
森本 泰司
;
佐々木 和明
;
近藤 正樹
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提交时间:2020/01/18
半導体発光素子及びその製造方法
专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP2856374B2, 申请日期: 1998-11-27, 公开日期: 1999-02-10
发明人:
中津 弘志
;
佐々木 和明
;
山本 修
;
山本 三郎
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提交时间:2020/01/18
半導体レーザ素子
专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP2821150B2, 申请日期: 1998-08-28, 公开日期: 1998-11-05
发明人:
山本 三郎
;
森本 泰司
;
佐々木 和明
;
近藤 正樹
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提交时间:2020/01/18