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半導体レーザ装置 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP2007005375A, 申请日期: 2007-01-11, 公开日期: 2007-01-11
发明人:  伊藤 晋;  山本 三郎
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半導体レーザ 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP2006222294A, 申请日期: 2006-08-24, 公开日期: 2006-08-24
发明人:  山本 三郎
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光扫描装置及图像形成装置 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN1774660A, 申请日期: 2006-05-17, 公开日期: 2006-05-17
发明人:  吉川智延;  山本义春;  松木大三郎
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半導体レーザ装置およびその製造方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP2005259946A, 申请日期: 2005-09-22, 公开日期: 2005-09-22
发明人:  山本 三郎;  伊藤 晋
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半導体レーザ素子の製造方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP2000340884A, 申请日期: 2000-12-08, 公开日期: 2000-12-08
发明人:  張 保平;  山本 三郎
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半導体レーザ装置 专利
专利类型: 授权发明, 授权发明, 授权发明, 授权发明, 授权发明, 授权发明, 授权发明, 授权发明, 授权发明, 授权发明, 授权发明, 授权发明, 授权发明, 授权发明, 授权发明, 授权发明, 授权发明, 授权发明, 授权发明, 授权发明, 授权发明, 授权发明, 授权发明, 授权发明, 授权发明, 授权发明, 授权发明, 授权发明, 授权发明, 授权发明, 授权发明, 授权发明, 授权发明, 授权发明, 授权发明, 授权发明, 授权发明, 授权发明, 授权发明, 授权发明, 授权发明, 授权发明, 授权发明, 授权发明, 授权发明, 授权发明, 授权发明, 授权发明, 授权发明, 授权发明, 授权发明, 授权发明, 授权发明, 授权发明, 授权发明, 授权发明, 授权发明, 授权发明, 授权发明, 授权发明, 授权发明, 授权发明, 授权发明, 授权发明, 专利号: JP3129973B2, JP3129973B2, JP3129973B2, JP3129973B2, JP3129973B2, JP3129973B2, JP3129973B2, JP3129973B2, JP3129973B2, JP3129973B2, JP3129973B2, JP3129973B2, JP3129973B2, JP3129973B2, JP3129973B2, JP3129973B2, JP3129973B2, JP3129973B2, JP3129973B2, JP3129973B2, JP3129973B2, JP3129973B2, JP3129973B2, JP3129973B2, JP3129973B2, JP3129973B2, JP3129973B2, JP3129973B2, JP3129973B2, JP3129973B2, JP3129973B2, JP3129973B2, JP3129973B2, JP3129973B2, JP3129973B2, JP3129973B2, JP3129973B2, JP3129973B2, JP3129973B2, JP3129973B2, JP3129973B2, JP3129973B2, JP3129973B2, JP3129973B2, JP3129973B2, JP3129973B2, JP3129973B2, JP3129973B2, JP3129973B2, JP3129973B2, JP3129973B2, JP3129973B2, JP3129973B2, JP3129973B2, JP3129973B2, JP3129973B2, JP3129973B2, JP3129973B2, JP3129973B2, JP3129973B2, JP3129973B2, JP3129973B2, JP3129973B2, JP3129973B2, 申请日期: 2000-11-17, 2000-11-17, 2000-11-17, 2000-11-17, 2000-11-17, 2000-11-17, 2000-11-17, 2000-11-17, 2000-11-17, 2000-11-17, 2000-11-17, 2000-11-17, 2000-11-17, 2000-11-17, 2000-11-17, 2000-11-17, 2000-11-17, 2000-11-17, 2000-11-17, 2000-11-17, 2000-11-17, 2000-11-17, 2000-11-17, 2000-11-17, 2000-11-17, 2000-11-17, 2000-11-17, 2000-11-17, 2000-11-17, 2000-11-17, 2000-11-17, 2000-11-17, 2000-11-17, 2000-11-17, 2000-11-17, 2000-11-17, 2000-11-17, 2000-11-17, 2000-11-17, 2000-11-17, 2000-11-17, 2000-11-17, 2000-11-17, 2000-11-17, 2000-11-17, 2000-11-17, 2000-11-17, 2000-11-17, 2000-11-17, 2000-11-17, 2000-11-17, 2000-11-17, 2000-11-17, 2000-11-17, 2000-11-17, 2000-11-17, 2000-11-17, 2000-11-17, 2000-11-17, 2000-11-17, 2000-11-17, 2000-11-17, 2000-11-17, 2000-11-17, 公开日期: 2001-01-31, 2001-01-31, 2001-01-31, 2001-01-31, 2001-01-31, 2001-01-31, 2001-01-31, 2001-01-31, 2001-01-31, 2001-01-31, 2001-01-31, 2001-01-31, 2001-01-31, 2001-01-31, 2001-01-31, 2001-01-31, 2001-01-31, 2001-01-31, 2001-01-31, 2001-01-31, 2001-01-31, 2001-01-31, 2001-01-31, 2001-01-31, 2001-01-31, 2001-01-31, 2001-01-31, 2001-01-31, 2001-01-31, 2001-01-31, 2001-01-31, 2001-01-31, 2001-01-31, 2001-01-31, 2001-01-31, 2001-01-31, 2001-01-31, 2001-01-31, 2001-01-31, 2001-01-31, 2001-01-31, 2001-01-31, 2001-01-31, 2001-01-31, 2001-01-31, 2001-01-31, 2001-01-31, 2001-01-31, 2001-01-31, 2001-01-31, 2001-01-31, 2001-01-31, 2001-01-31, 2001-01-31, 2001-01-31, 2001-01-31, 2001-01-31, 2001-01-31, 2001-01-31, 2001-01-31, 2001-01-31, 2001-01-31, 2001-01-31, 2001-01-31
发明人:  河西 秀典;  森本 泰司;  兼岩 進治;  林 寛;  宮内 伸幸;  矢野 盛規;  塩本 武弘;  佐々木 和明;  松本 晃広;  近藤 正樹;  山本 三郎
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半導体レーザ素子及びその製造方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP2000269589A, 申请日期: 2000-09-29, 公开日期: 2000-09-29
发明人:  山本 三郎
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半導体レーザ素子 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1999026873A, 申请日期: 1999-01-29, 公开日期: 1999-01-29
发明人:  山本 三郎;  森本 泰司;  佐々木 和明;  近藤 正樹
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半導体発光素子及びその製造方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP2856374B2, 申请日期: 1998-11-27, 公开日期: 1999-02-10
发明人:  中津 弘志;  佐々木 和明;  山本 修;  山本 三郎
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半導体レーザ素子 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP2821150B2, 申请日期: 1998-08-28, 公开日期: 1998-11-05
发明人:  山本 三郎;  森本 泰司;  佐々木 和明;  近藤 正樹
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