Monolitisch-integrierte Anordnung von lichtemittierendem Element und externem Modulator/lichtempfindlichem Element

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	Monolitisch-integrierte Anordnung von lichtemittierendem Element und externem Modulator/lichtempfindlichem Element
其他题名	Monolitisch-integrierte Anordnung von lichtemittierendem Element und externem Modulator/lichtempfindlichem Element
	KINOSHITA JUNICHI
	2000-11-23
专利权人	KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA,KAWASAKI
公开日期	2000-11-23
授权国家	德国
专利类型	授权发明
摘要	A GCL (50) is formed on a first major surface of a semi-insulating InP substrate (1''). Specifically, an InGaAsP active layer (2), an InGaAsP waveguide path (3) and a striped grating (10) having two phase shift portions are formed on the first major surface of the InP substrate (1''). An EA modulator (60) is formed on a second major surface of the semi-insulating InP substrate (1''). Specifically, a p-InP layer (7), an MQW structure (8) of 100-layer, an n-InP layer (9) and an n-InP layer (10) are formed on the second major surface of the InP substrate (1''). The first major surface and second major surface of the InP substrate (1'') are inclined to each other by a few degrees.
其他摘要	GCL（50）形成在半绝缘InP衬底（1“）的第一主表面上。具体地，InPAsP有源层（2），InGaAsP波导路径（3）和具有两个相移部分的条纹光栅（10）形成在InP衬底（1“）的第一主表面上。EA调制器（60）形成在半绝缘InP衬底（1“）的第二主表面上。具体地，在第二层上形成p-InP层（7），100层的MQW结构（8），n - InP层（9）和n + - InP层（10）InP衬底（1“）的主表面。InP衬底（1“）的第一主表面和第二主表面彼此倾斜几度。
授权日期	2000-11-23
申请日期	1996-06-26
专利号	DE69610675D1
专利状态	失效
申请号	DE69610675
公开（公告）号	DE69610675D1
IPC 分类号	G02F1/015 \| H01L27/15 \| H01S3/10 \| H01S5/00 \| H01S5/026 \| H01S5/12 \| H01S5/183 \| H01S5/187 \| H01S5/343 \| H01S5/42 \| H01S5/02 \| H01S5/10 \| H01S5/40
专利代理人	-
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/38940
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA,KAWASAKI
推荐引用方式 GB/T 7714	KINOSHITA JUNICHI. Monolitisch-integrierte Anordnung von lichtemittierendem Element und externem Modulator/lichtempfindlichem Element. DE69610675D1[P]. 2000-11-23.