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Method of improving laser yield for target wavelengths in epitaxial InGaAsP lasers based upon the thermal conductivity of the InP substrate 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: US6159758, 申请日期: 2000-12-12, 公开日期: 2000-12-12
发明人:  EBERT, CHRIS W.;  GRAY, MARY L.;  GRIM-BOGDAN, KAREN A.;  SEILER, JOSEPH BRIAN;  TZAFARAS, NIKOLAOS
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