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Zn扩散对InGaAs/InP单光子雪崩光电二极管雪崩击穿概率的影响 期刊论文
光子学报, 2023, 卷号: 52, 期号: 6
作者:  郭可飞;  尹飞;  刘立宇;  乔凯;  李鸣;  汪韬;  房梦岩;  吉超;  屈有山;  田进寿;  王兴
Adobe PDF(1873Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:88/1  |  提交时间:2023/11/03
雪崩光电二极管  InGaAs/InP  Zn扩散  单光子探测  雪崩击穿概率  
一种用于光电探测成像的位敏阳极及位敏阳极探测器 专利
专利类型: 实用新型, 专利号: CN201920448430.8, 申请日期: 2019-12-31, 公开日期: 2019-12-31
发明人:  陈萍;  田进寿;  温文龙
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一种自适应大动态范围光电倍增管 专利
专利类型: 发明专利, 专利号: CN201910526955.3, 申请日期: 2019-06-18, 公开日期: 2019-10-25
发明人:  刘虎林;  辛丽伟;  徐向晏;  田进寿;  赛小锋;  吕沛;  韩彪;  何建平;  王俊锋;  韦永林;  卢裕;  温文龙;  王兴;  陈萍;  何凯;  高贵龙
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一种自适应扩展光电倍增管动态范围的方法 专利
专利类型: 发明专利, 专利号: CN201910526936.0, 申请日期: 2019-06-18, 公开日期: 2019-10-29
发明人:  刘虎林;  温文龙;  吕沛;  徐向晏;  田进寿;  赛小锋;  韩彪;  何凯;  何建平;  王俊锋;  韦永林;  卢裕;  王兴;  陈萍;  高贵龙;  辛丽伟
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一种用于光电探测成像的位敏阳极及位敏阳极探测器 专利
专利号: CN201910266130.2, 申请日期: 2019-04-03,
发明人:  陈萍;  田进寿;  温文龙
Adobe PDF(361Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:43/0  |  提交时间:2020/12/03
高量子效率InP/In0.53Ga0.47As/InP红外光电阴极模拟 期刊论文
红外与激光工程, 2019, 卷号: 48, 期号: 2
作者:  周振辉;  徐向晏;  刘虎林;  李岩;  卢裕;  钱森;  韦永林;  何凯;  赛小锋;  田进寿;  陈萍
Adobe PDF(2339Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:236/5  |  提交时间:2019/04/29
量子效率  响应时间  指数掺杂  红外光电阴极