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光変調器付半導体レーザダイオード及びその製造方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1999354883A, 申请日期: 1999-12-24, 公开日期: 1999-12-24
发明人:  久 義浩
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光半導体素子の製造方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1999354894A, 申请日期: 1999-12-24, 公开日期: 1999-12-24
发明人:  北村 昌太郎
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半導体光増幅器 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP3017869B2, 申请日期: 1999-12-24, 公开日期: 2000-03-13
发明人:  大塚 一昭
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光半導体装置 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1999354896A, 申请日期: 1999-12-24, 公开日期: 1999-12-24
发明人:  岡本 稔;  馬渡 宏泰;  佐藤 憲史;  板屋 義夫;  尾江 邦重;  曲 克明;  三上 修
Adobe PDF(32Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：62/0  |  提交时间：2020/01/18
半導体受発光装置及びその組立方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1999346030A, 申请日期: 1999-12-14, 公开日期: 1999-12-14
发明人:  嶋岡 誠;  中村 均;  芹沢 弘二;  松原 茂;  金谷 達憲;  山田 泰文;  橋本 俊和
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光半導体装置 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1999330637A, 申请日期: 1999-11-30, 公开日期: 1999-11-30
发明人:  森本 卓夫
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Method for making cleaved facets for lasers fabricated with gallium nitride and other noncubic materials 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: US5985687, 申请日期: 1999-11-16, 公开日期: 1999-11-16
发明人:  BOWERS, JOHN E.;  SINK, R. KEHL;  DENBAARS, STEVEN P.
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半導体レーザ及びその製造方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1999317563A, 申请日期: 1999-11-16, 公开日期: 1999-11-16
发明人:  山崎 裕幸
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分布帰還型半導体レーザ及び単一モード光源 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1999317564A, 申请日期: 1999-11-16, 公开日期: 1999-11-16
发明人:  東門 領一;  森 浩;  高橋 良夫;  菊川 知之
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半導体レーザとその製造方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP3001390B2, 申请日期: 1999-11-12, 公开日期: 2000-01-24
发明人:  鶴岡 清貴
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