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半導体光集積素子および半導体光集積素子の製造方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP2010109215A, 申请日期: 2010-05-13, 公开日期: 2010-05-13
发明人:  鶴岡 清貴;  加藤 友章;  佐藤 健二;  須藤 信也;  岡本 健志;  水谷 健二;  森本 卓夫
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半導体光集積素子およびその製造方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP2009038120A, 申请日期: 2009-02-19, 公开日期: 2009-02-19
发明人:  鶴岡 清貴;  工藤 耕治;  須藤 信也
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半導体レーザの製造方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP2000138418A, 申请日期: 2000-05-16, 公开日期: 2000-05-16
发明人:  鶴岡 清貴
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半導体レーザとその製造方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP3001390B2, 申请日期: 1999-11-12, 公开日期: 2000-01-24
发明人:  鶴岡 清貴
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半導体レーザ及びその製造方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP2996221B2, 申请日期: 1999-10-29, 公开日期: 1999-12-27
发明人:  鶴岡 清貴
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半導体レーザの製造方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1999017273A, 申请日期: 1999-01-22, 公开日期: 1999-01-22
发明人:  鶴岡 清貴;  鈴木 尚文
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