Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 光半導体装置 | |
| 其他题名 | 光半導体装置 |
| 森本 卓夫 | |
| 1999-11-30 | |
| 专利权人 | 日本電気株式会社 |
| 公开日期 | 1999-11-30 |
| 授权国家 | 日本 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | 【課題】選択成長によるpnpnサイリスタ構造を有する半導体レーザにおいて、内部損失が増えるデメリットのないように、ターンオン防止のキャリア再結合層を挿入し、閾値の低減、温度特性の向上、最大光出力の向上を実現する。 【解決手段】バッファー層付p型InP基板の上に、p-クラッド層4、SCH-歪MQW層5、n-クラッド層10の台形形状の選択成長部があり、3μm光の導波部となっている。その左右には、下から順に、p-InP埋込層12、n-InP部層13が0.4μm、p-InP部層14が2μm、3μm組成4元ウェル/05μm組成4元バリアのSCH-MQWキャリア再結合層15が0.1μmある。これら全体を埋め込む形で、n-InPクラッド埋込層17と、その上部にn-InGaAsPコンタクト層18が0.4μmある。 |
| 其他摘要 | 要解决的问题：通过插入防止截止的载流子复合层来实现阈值的降低和温度特性和最大光输出的改善，而不具有在具有选择生长pnpn晶闸管的半导体激光器中内部损耗增加的缺点结构体。解决方案：在具有缓冲层的p型InP衬底上，p覆层4，SCH应变MQW层5，n覆层10选择性地生长成梯形形状，以形成用于其右侧和左侧有一个p-InP埋层12，0.4μm的n-InP层13，2μm的n-InP层14和3μm的组成。 4元件阱/05μm组合物。 0.1μm的四元素势垒SCH-MQW载流子复合层15以升序存在，并且以0.4μm的n-InP包层埋层17和n-InGaAsP接触层18以其全部嵌入的形式存在。 |
| 申请日期 | 1996-03-28 |
| 专利号 | JP1999330637A |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | JP1999114501 |
| 公开（公告）号 | JP1999330637A |
| IPC 分类号 | H01S5/343 | H01L33/12 | H01L33/06 | H01S5/227 | H01L33/30 | H01L29/74 | H01S5/00 | H01S3/18 | H01L33/00 |
| 专利代理人 | 京本 直樹 (外2名) |
| 代理机构 | - |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/79565 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 日本電気株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 森本 卓夫. 光半導体装置. JP1999330637A[P]. 1999-11-30. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| JP1999330637A.PDF（44KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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