半導体光増幅器

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	半導体光増幅器
其他题名	半導体光増幅器
	大塚一昭
	1999-12-24
专利权人	株式会社東芝
公开日期	2000-03-13
授权国家	日本
专利类型	授权发明
摘要	【目的】ファイバーとの結合が難しい斜め光導波路構造では、より高度な再現性良い光軸位置合わせ実装技術が要求される。そこで本発明は端面の光反射率を低減し、光増幅器とファイバーとの結合損失を少なくし、工程が簡単、且信頼性の高い半導体光増幅器を提供することを目的とする。【構成】 InP系等の半導体基板上に、活性層を有する光導波領域と光導波領域の外側に形成された窓構造領域とを具備する半導体光増幅器であって、活性層が窓構造と接する側面での入射角をθ1 、窓構造の端面での入射角をθ2 、活性層の屈折率をn1 、窓構造の光屈折率をn2 とし、n1 sin θ1 =n2 sin θ2 ,θ1 ≠0 の関係が成り立つことを特徴とする。【効果】光反射防止膜をコートした両端面窓構造の斜め光導波路構造を有した半導体光増幅器は光出入射に等価的に反射率を再現性良く低減でき、斜め光導波路構造とその外側の窓構造とが接する面の角度を限定することで、入射光の進行方向に出射することが出来る為、ファイバーとの結合が容易になる。
其他摘要	[目的]难以与光纤耦合的倾斜光波导结构需要高度可再现的光轴对准安装技术。发明内容本发明的目的是通过降低端面处的光反射率，降低光放大器和光纤之间的耦合损耗，提供一种具有简单工艺和高可靠性的高可靠性半导体光放大器。一种半导体光放大器，包括具有有源层的光波导区域和形成在InP基半导体衬底上的光波导区域外部的窗口结构区域，有源层与窗口结构接触侧面的入射角为θ 1 ，窗结构端面的入射角为θ 2 ，有源层的折射率n 1 ，窗口结构的光折射率为n 2 ，n 1 sin 1 1 = n 2 sinθ其特征在于 2 ，θ 1 ≠0的关系成立。 [效果]具有涂有光反射防止膜的两个端面窗结构的倾斜光波导结构的半导体光放大器可以降低反射率，具有与光出射和入射相当的良好再现性，以及倾斜光波导结构及其外部通过限制与窗口结构接触的表面的角度，可以在入射光的行进方向上发射光，这有利于与光纤的耦合。
申请日期	1991-12-25
专利号	JP3017869B2
专利状态	失效
申请号	JP1991343439
公开（公告）号	JP3017869B2
IPC 分类号	H01S \| G02F \| H01S5/50 \| G02F1/35 \| H01S5/042 \| H01S5/00
专利代理人	三好秀和 (外4名)
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/80481
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	株式会社東芝
推荐引用方式 GB/T 7714	大塚一昭. 半導体光増幅器. JP3017869B2[P]. 1999-12-24.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP3017869B2.PDF（43KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文