光変調器付半導体レーザダイオード及びその製造方法

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	光変調器付半導体レーザダイオード及びその製造方法
其他题名	光変調器付半導体レーザダイオード及びその製造方法
	久義浩
	1999-12-24
专利权人	MITSUBISHI ELECTRIC CORP
公开日期	1999-12-24
授权国家	日本
专利类型	发明申请
摘要	【課題】光変調器部の高速応答が可能でかつ安価に製造できしかも強度が安定した光を出力することができる光変調器付半導体レーザダイオードを提供する。【解決手段】 N型の化合物半導体基板上に、半導体レーザダイオードと光変調器とが分離領域を挟んで形成され、半導体レーザダイオード、光変調器及び分離領域が活性層及びP型クラッド層を共有し、かつ活性層及びP型クラッド層の両側にはInP系の半導体からなるブロック層が形成された光変調器付半導体レーザダイオードであって、分離領域のブロック層は、少なくともP型不純物とH+又はHeがドープされて高抵抗化されている。
其他摘要	要解决的问题：通过掺杂具有P型杂质和H +或He离子之一的N型阻挡层来输出具有稳定强度的光同时降低制造成本，从而确保光学调制部分处的高速响应。解决方案：具有光调制器的半导体激光二极管包括激光二极管部分和整体形成在隔离区域的相对侧上的光调制器部分。激光二极管部分和光学调制器部分共用在光的前进方向上形成足够长的有源层6和P型包层7。在有源层6和P型包层7的相对侧上形成Fe掺杂InP的高电阻层21和InP的N型阻挡层22.隔离区中的阻挡层22由高电阻构成通过掺杂具有P型杂质的N型InP半导体层并注入H +或He离子而形成的InP。
主权项	-
申请日期	1998-06-08
专利号	JP1999354883A
专利状态	失效
申请号	JP1998158978
公开（公告）号	JP1999354883A
IPC 分类号	H01S5/00 \| H01S3/18
专利代理人	青山葆 (外1名)
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/64760
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	MITSUBISHI ELECTRIC CORP
推荐引用方式 GB/T 7714	久義浩. 光変調器付半導体レーザダイオード及びその製造方法. JP1999354883A[P]. 1999-12-24.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP1999354883A.PDF（47KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文