已选(0)清除
条数/页: 排序方式: |
| 全光固体超快探测芯片和全光固体超快探测器 专利 专利类型: 实用新型, 专利号: CN201921026323.2, 申请日期: 2020-04-03, 公开日期: 2020-04-03 发明人: 汪韬; 高贵龙; 何凯; 闫欣; 田进寿; 李少辉; 尹飞; 辛丽伟 Adobe PDF(407Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:167/8  |  提交时间:2020/12/25 |
| 全光固体超快探测芯片、全光固体超快探测器及其探测方法 专利 专利类型: 发明专利, 专利号: CN201910594755.1, 申请日期: 2019-07-03, 公开日期: 2019-11-01 发明人: 汪韬; 高贵龙; 何凯; 闫欣; 田进寿; 李少辉; 尹飞; 辛丽伟 Adobe PDF(409Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:190/9  |  提交时间:2019/12/23 |
| InAsSb材料的LP-MOCVD生长 期刊论文 半导体光电, 2015, 卷号: 36, 期号: 5, 页码: 733-735+740 作者: 徐庆安; 邵逸恺; 汪韬; 尹飞; 闫欣; 辛丽伟; 王警卫 Adobe PDF(652Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:230/7  |  提交时间:2015/12/11 |
| Growth of short-period InAs/GaSb superlattices for infrared sensing 期刊论文 JOURNAL OF INFRARED AND MILLIMETER WAVES, 2011, 卷号: 30, 期号: 6, 页码: 511-+ 作者: Wang Tao; Yang Jin; Yin Fei; Wang Jing-Wei; Hu Ya-Nan; Zhang Li-Chen; Yin Jing-Zhi Adobe PDF(642Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:196/4  |  提交时间:2015/09/28 Inas/gasb Superlattice Band Gap Metal Organic Chemical Vapor Deposition (Mocvd) Atomic Force Microscope(Afm) Pl Spectra |
| 高响应度GaAs-MSM光电自混频面阵器件 期刊论文 激光与红外, 2011, 期号: 08, 页码: 925-928 作者: 张立臣; 汪韬; 尹飞; 杨瑾; 胡雅楠 Adobe PDF(611Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:541/5  |  提交时间:2012/06/29 光电集成 光电自混频器 金属有机气象外延 Gaas-msm |
| 面阵式激光雷达探测芯片的设计与制作 学位论文 : 中国科学院西安光学精密机械研究所., 2009 作者: 尹飞 Microsoft Word(6159Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:838/5  |  提交时间:2011/10/09 Msm光探测器 Gaas 激光雷达 Lp-mocvd 光刻工艺 |
| 低压MOCVD生长参量对Ⅱ型InAs/GaSb超晶格材料表面形貌的影响 期刊论文 光子学报, 2009, 卷号: 38, 期号: 8, 页码: 1937-1940 作者: 吴雷学; 汪韬; 王警卫; 李晓婷; 景争; 尹飞; 梅书刚 Adobe PDF(2011Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:544/3  |  提交时间:2010/01/18 |