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ALD制备InP基半导体激光器中的表面钝化方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN104143760A, 申请日期: 2014-11-12, 公开日期: 2014-11-12
发明人:  魏志鹏;  田珊珊;  方铉;  唐吉龙;  李金华;  方芳;  楚学影;  王晓华;  王菲
Adobe PDF(489Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：83/0  |  提交时间：2019/12/31
垂直キャビティ表面発光型半導体レーザ 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP2014199897A, 申请日期: 2014-10-23, 公开日期: 2014-10-23
发明人:  玉貫 岳正
Adobe PDF(119Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2020/01/13
一种InP基中红外InAsBi量子阱结构 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN104104012A, 申请日期: 2014-10-15, 公开日期: 2014-10-15
发明人:  顾溢;  张永刚;  王庶民
Adobe PDF(330Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：69/0  |  提交时间：2020/01/18
一种二元闪耀光栅耦合器及其在硅基混合集成光探测器上的应用 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN104090333A, 申请日期: 2014-10-08, 公开日期: 2014-10-08
发明人:  李鸿强;  刘宇;  崔贝贝;  周文骞
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一种1550nm长波长垂直腔面发射激光器的制备方法及其应用 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN104051957A, 申请日期: 2014-09-17, 公开日期: 2014-09-17
发明人:  李鸿强;  崔贝贝;  周文骞;  刘宇
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金属完全限制的硅基混合激光器的制备方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN103887705A, 申请日期: 2014-06-25, 公开日期: 2014-06-25
发明人:  隋少帅;  唐明英;  杨跃德;  肖金龙;  杜云;  黄永箴
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エレクトロルミネッセンスの観察方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP2014096444A, 申请日期: 2014-05-22, 公开日期: 2014-05-22
发明人:  佐々木 孝一;  鶴見 大輔
Adobe PDF(206Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：133/0  |  提交时间：2019/12/31
一种具有插入层量子阱半导体激光器的外延结构 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN103779786A, 申请日期: 2014-05-07, 公开日期: 2014-05-07
发明人:  马淑芳;  许并社;  李学敏;  韩蕊蕊;  田海军;  吴小强
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一种高速半导体激光器以及芯片的制作方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN103746289A, 申请日期: 2014-04-23, 公开日期: 2014-04-23
发明人:  罗飚;  王任凡;  刘应军;  阳红涛
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一种调制掺杂型多周期应变补偿量子阱外延生长方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN103715606A, 申请日期: 2014-04-09, 公开日期: 2014-04-09
发明人:  吴瑞华;  刘建军;  唐琦
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