一种二元闪耀光栅耦合器及其在硅基混合集成光探测器上的应用

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	一种二元闪耀光栅耦合器及其在硅基混合集成光探测器上的应用
其他题名	一种二元闪耀光栅耦合器及其在硅基混合集成光探测器上的应用
	李鸿强; 刘宇; 崔贝贝; 周文骞
	2014-10-08
专利权人	天津工业大学
公开日期	2014-10-08
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	本发明提出了一种二元闪耀光栅耦合器，所述耦合器采用SOI材料，包括硅衬底、限制层、波导层和光栅层，所述光栅层采用二元闪耀光栅，所述二元闪耀光栅为一维二元闪耀光栅或二维二元闪耀光栅。所设计的二元闪耀光栅耦合器结构简单、制作方便、体积小，且与标准的CMOS工艺兼容，实现了高耦合效率、宽带宽的耦合输出功能。本发明通过将III-V族材料的光电探测器键合到SOI晶圆上，实现了采用光栅耦合的硅基混合集成光探测器，并将其应用到阵列波导光栅解调集成微系统中，有效解决阵列波导光栅解调集成微系统中SOI硅纳米线波导与InGaAs/InP光探测器间的光耦合问题。
其他摘要	本发明提出了一种二元闪耀光栅耦合器，所述耦合器采用SOI材料，包括硅衬底、限制层、波导层和光栅层，所述光栅层采用二元闪耀光栅，所述二元闪耀光栅为一维二元闪耀光栅或二维二元闪耀光栅。所设计的二元闪耀光栅耦合器结构简单、制作方便、体积小，且与标准的CMOS工艺兼容，实现了高耦合效率、宽带宽的耦合输出功能。本发明通过将III-V族材料的光电探测器键合到SOI晶圆上，实现了采用光栅耦合的硅基混合集成光探测器，并将其应用到阵列波导光栅解调集成微系统中，有效解决阵列波导光栅解调集成微系统中SOI硅纳米线波导与InGaAs/InP光探测器间的光耦合问题。
主权项	一种二元闪耀光栅耦合器及其在硅基混合集成光探测器上的应用，其特征在于包括如下步骤： (1)二元闪耀光栅耦合器采用SOI材料，包括：硅衬底、限制层、波导层和光栅层； (2)二元闪耀光栅耦合器输入端与锥形波导连接，实现光栅耦合器与系统中阵列波导光栅的互连； (3)二元闪耀光栅耦合器应用在硅基混合集成光探测器上，并将其应用到阵列波导光栅解调集成微系统中，有效解决阵列波导光栅解调集成微系统中SOI硅纳米线波导与InGaAs/InP光探测器间的光耦合问题。
申请日期	2014-06-23
专利号	CN104090333A
专利状态	失效
申请号	CN201410288826.2
公开（公告）号	CN104090333A
IPC 分类号	G02B6/124 \| G02B6/34 \| G02B6/42
专利代理人	-
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/55998
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	天津工业大学
推荐引用方式 GB/T 7714	李鸿强,刘宇,崔贝贝,等. 一种二元闪耀光栅耦合器及其在硅基混合集成光探测器上的应用. CN104090333A[P]. 2014-10-08.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN104090333A.PDF（1489KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文