一种1550nm长波长垂直腔面发射激光器的制备方法及其应用

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	一种1550nm长波长垂直腔面发射激光器的制备方法及其应用
其他题名	一种1550nm长波长垂直腔面发射激光器的制备方法及其应用
	李鸿强; 崔贝贝; 周文骞; 刘宇
	2014-09-17
专利权人	天津工业大学
公开日期	2014-09-17
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	本发明公开了一种InGaAsN/AlGaInAs量子阱为有源层的1550nm长波长垂直腔面发射激光器，其特点在于有源层为InP基的InGaAsN/AlGaInAs的QWs以及AlGaAsSb/AlAsSb作为DBR材料。它的谐振腔腔长为1λ以实现更好的出光效果。另外本发明采用双层氧化限制层的结构使面发射激光器在性能上进一步改善，提高了单模输出功率，实现1550nm的长波长传输。该激光器包括P型DBR层、有源层、N型DBR层、衬底、SiO2绝缘层、透明导电介质ZnO、P型电极和N型背面电极。整个结构在材料上是晶格匹配的，因此可以广泛的应用外延技术。本发明的垂直腔面发射激光器制造工艺简单，重复性好，容易推广。
其他摘要	本发明公开了一种InGaAsN/AlGaInAs量子阱为有源层的1550nm长波长垂直腔面发射激光器，其特点在于有源层为InP基的InGaAsN/AlGaInAs的QWs以及AlGaAsSb/AlAsSb作为DBR材料。它的谐振腔腔长为1λ以实现更好的出光效果。另外本发明采用双层氧化限制层的结构使面发射激光器在性能上进一步改善，提高了单模输出功率，实现1550nm的长波长传输。该激光器包括P型DBR层、有源层、N型DBR层、衬底、SiO2绝缘层、透明导电介质ZnO、P型电极和N型背面电极。整个结构在材料上是晶格匹配的，因此可以广泛的应用外延技术。本发明的垂直腔面发射激光器制造工艺简单，重复性好，容易推广。
申请日期	2014-06-23
专利号	CN104051957A
专利状态	失效
申请号	CN201410288829.6
公开（公告）号	CN104051957A
IPC 分类号	H01S5/183
专利代理人	-
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/85830
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	天津工业大学
推荐引用方式 GB/T 7714	李鸿强,崔贝贝,周文骞,等. 一种1550nm长波长垂直腔面发射激光器的制备方法及其应用. CN104051957A[P]. 2014-09-17.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN104051957A.PDF（1187KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文