金属完全限制的硅基混合激光器的制备方法

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	金属完全限制的硅基混合激光器的制备方法
其他题名	金属完全限制的硅基混合激光器的制备方法
	隋少帅; 唐明英; 杨跃德; 肖金龙; 杜云; 黄永箴
	2014-06-25
专利权人	中国科学院半导体研究所
公开日期	2014-06-25
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	一种金属完全限制的硅基混合激光器的制备方法，包括：在SOI片上刻蚀出周期性的条形波导结构；在p型InP衬底上外延生长III/V激光器外延片；清洗；将III/V激光器外延片和SOI片键合到一起，形成键合片；在键合片上表面生长一SiO2层，在SiO2层表面光刻出激光器图形，刻蚀掉图形外的SiO2层；在制作完成后的III/V激光器外延片的表面生长一层隔离层，并且在激光器谐振腔隔离层表面生长一金属覆盖层；在底部接触层上制作出图形化的N型电极，使之包围在激光器谐振腔的周围；在底部接触层的部分表面及III/V激光器谐振腔的表面蒸发一P型接触电极Ti/Pt/Au，完成制备。
其他摘要	一种金属完全限制的硅基混合激光器的制备方法，包括：在SOI片上刻蚀出周期性的条形波导结构；在p型InP衬底上外延生长III/V激光器外延片；清洗；将III/V激光器外延片和SOI片键合到一起，形成键合片；在键合片上表面生长一SiO2层，在SiO2层表面光刻出激光器图形，刻蚀掉图形外的SiO2层；在制作完成后的III/V激光器外延片的表面生长一层隔离层，并且在激光器谐振腔隔离层表面生长一金属覆盖层；在底部接触层上制作出图形化的N型电极，使之包围在激光器谐振腔的周围；在底部接触层的部分表面及III/V激光器谐振腔的表面蒸发一P型接触电极Ti/Pt/Au，完成制备。
申请日期	2014-03-13
专利号	CN103887705A
专利状态	失效
申请号	CN201410093103.7
公开（公告）号	CN103887705A
IPC 分类号	H01S5/028 \| H01S5/024
专利代理人	任岩
代理机构	中科专利商标代理有限责任公司
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/89987
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	中国科学院半导体研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	隋少帅,唐明英,杨跃德,等. 金属完全限制的硅基混合激光器的制备方法. CN103887705A[P]. 2014-06-25.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN103887705A.PDF（952KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文