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基于聚焦离子束技术深刻蚀一维光子晶体的方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN100447945C, 申请日期: 2008-12-31, 公开日期: 2008-12-31
发明人:  徐军;  章蓓;  张振生;  代涛
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光子晶体自准直激光器 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN101335426A, 申请日期: 2008-12-31, 公开日期: 2008-12-31
发明人:  蒋寻涯;  赵德印;  张洁;  周传宏
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Electrically pumped semiconductor evanescent laser 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: WO2008097330A3, 申请日期: 2008-12-31, 公开日期: 2008-12-31
发明人:  BOWERS, JOHN E.;  COHEN, ODED;  FANG, ALEXANDER W.;  JONES, RICHARD;  PANICCIA, MARIO J.;  PARK, HYUNDAI
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用于制作发光器件的方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN101335321A, 申请日期: 2008-12-31, 公开日期: 2008-12-31
发明人:  康学军;  吴大可;  爱德华·R·佩里;  袁述
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Light emitting device 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: EP1672754A3, 申请日期: 2008-12-31, 公开日期: 2008-12-31
发明人:  HAMA, ATSUTOMO C/O NICHIA CORPORATION;  HAYASHI, YUKIHIRO C/O NICHIA CORPORATION;  NAGAHAMA, SHINICHI C/O NICHIA CORPORATION
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激光器及其散热装置 专利
专利类型: 实用新型, 专利号: CN201174497Y, 申请日期: 2008-12-31, 公开日期: 2008-12-31
发明人:  王斌;  许江珂;  成华;  郑光;  房涛;  毕勇;  贾中达
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半導体レーザ装置および表示装置 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP2008311556A, 申请日期: 2008-12-25, 公开日期: 2008-12-25
发明人:  滝口 幹夫;  長沼 香;  滝口 由朗;  若林 和弥
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半導体レーザ素子及び製造方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP2008311547A, 申请日期: 2008-12-25, 公开日期: 2008-12-25
发明人:  加藤 亮;  山田 篤志;  杉浦 勝己;  石橋 明彦
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レーザダイオードチップおよびその製造方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP2008311320A, 申请日期: 2008-12-25, 公开日期: 2008-12-25
发明人:  今井 勇次
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半導体レーザ素子 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP2008311472A, 申请日期: 2008-12-25, 公开日期: 2008-12-25
发明人:  北嶋 久義;  内田 智士
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