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氮化物外延层结构及其制作方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN100358166C, 申请日期: 2007-12-26, 公开日期: 2007-12-26
发明人:  温子稷;  涂如钦;  游正璋;  武良文;  简奉任
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近接場半導体光プローブの製造方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP4052505B2, 申请日期: 2007-12-14, 公开日期: 2008-02-27
发明人:  後藤 顕也
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集積型半導体発光装置およびその製造方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP2007324580A, 申请日期: 2007-12-13, 公开日期: 2007-12-13
发明人:  堀江 秀善
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集積型半導体発光装置およびその製造方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP2007324582A, 申请日期: 2007-12-13, 公开日期: 2007-12-13
发明人:  堀江 秀善
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集積型半導体発光装置およびその製造方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP2007324578A, 申请日期: 2007-12-13, 公开日期: 2007-12-13
发明人:  堀江 秀善
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集積型半導体発光装置およびその製造方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP2007324576A, 申请日期: 2007-12-13, 公开日期: 2007-12-13
发明人:  堀江 秀善
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回路検査装置および回路検査方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP2007315986A, 申请日期: 2007-12-06, 公开日期: 2007-12-06
发明人:  伊藤 哲
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窒化物半導体素子の製造方法及び窒化物半導体素子 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP4043087B2, 申请日期: 2007-11-22, 公开日期: 2008-02-06
发明人:  小崎 徳也;  中村 修二
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面発光レーザ素子、それを備えた面発光レーザアレイ、面発光レーザ素子または面発光レーザアレイを備えた画像形成装置、面発光レーザ素子または面発光レーザアレイを備えた光インターコネクションシステムおよび面発光レーザ素子または面発光レーザアレイを備えた光通信システム 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP2007299897A, 申请日期: 2007-11-15, 公开日期: 2007-11-15
发明人:  本村 寛;  軸谷 直人
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窒化物半導体発光素子 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP4028635B2, 申请日期: 2007-10-19, 公开日期: 2007-12-26
发明人:  長濱 慎一;  中村 修二
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