Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
近接場半導体光プローブの製造方法 | |
其他题名 | 近接場半導体光プローブの製造方法 |
後藤 顕也 | |
2007-12-14 | |
专利权人 | 学校法人東海大学 |
公开日期 | 2008-02-27 |
授权国家 | 日本 |
专利类型 | 授权发明 |
摘要 | (修正有) 【課題】本発明は、マイクロレンズの焦点位置と近接場光プローブとを精密に一致させた高効率半導体近接場プローブを提供する。 【解決手段】垂直共振器表面発光半導体レーザー素子11と、前記垂直共振器表面発光半導体レーザー素子11の出力側に同軸に配設されるマイクロレンズ21と、前記マイクロレンズと同軸にセルフアライメントにより形成される近接場光プローブ22とにより構成される。 |
其他摘要 | 要解决的问题:提供一种高效的半导体近场探头,其中微透镜的焦点与近场光探头精确地重合。 ŽSOLUTION:该装置包括垂直腔表面发射激光器元件11,在垂直腔表面发射激光器元件11的输出侧同轴布置的微透镜21,以及由自身与微透镜同轴形成的近场光探测器22对准。 Ž |
申请日期 | 2002-03-14 |
专利号 | JP4052505B2 |
专利状态 | 失效 |
申请号 | JP2002070499 |
公开(公告)号 | JP4052505B2 |
IPC 分类号 | H01S5/183 | H01S | G11B7/135 | G11B7/22 | G11B | H01S5/02 |
专利代理人 | 鈴江 武彦 | 村松 貞男 | 橋本 良郎 | 河野 哲 | 中村 誠 |
代理机构 | - |
文献类型 | 专利 |
条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/33784 |
专题 | 半导体激光器专利数据库 |
作者单位 | 学校法人東海大学 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 後藤 顕也. 近接場半導体光プローブの製造方法. JP4052505B2[P]. 2007-12-14. |
条目包含的文件 | ||||||
文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
JP4052505B2.PDF(171KB) | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 |
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