集積型半導体発光装置およびその製造方法

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	集積型半導体発光装置およびその製造方法
其他题名	集積型半導体発光装置およびその製造方法
	堀江秀善
	2007-12-13
专利权人	MITSUBISHI CHEMICALS CORP
公开日期	2007-12-13
授权国家	日本
专利类型	发明申请
摘要	【課題】本発明は、発光強度の面内均一性がすぐれた大面積の面光源的発光が可能な集積型の化合物半導体発光装置を提供することを目的とする。【解決手段】透明な基板21上に形成された複数の発光ユニット11を有する集積型化合物半導体発光装置であって、前記発光ユニットが、薄膜結晶層24、25、26、第一および第二導電型側電極27、28を有し、光取り出し方向が基板側で、第一および第二導電型側電極が光取り出し方向と反対側に形成され、発光ユニット同士は、発光ユニット間分離溝12により電気的に分離され、発光ユニットは分断された活性層構造25を含む複数の発光ポイントを有し、さらに、基板と第一導電型クラッド層の間に、複数の発光ユニット間に共通して設けられ、複数の発光ユニットを光学的に結合して、光を集積型化合物半導体発光装置全体に分布させる光学結合層23を有する。【選択図】図1
其他摘要	要解决的问题：提供一种集成的化合物半导体发光器件，其具有优异的发光强度的面内均匀性并且能够像面光源那样进行大面积发光。 ŽSOLUTION：集成化合物半导体发光器件具有形成在透明基板21上的多个发光单元1每个发光单元具有薄膜晶体层24,25,26，以及第一和第二导电性光提取方向是基板侧。第一和第二导电类型侧电极形成在光提取方向的相对侧。发光单元通过分离沟槽12的发光单元彼此电隔离。发光单元每个都具有包括分离的有源层结构25的多个发光点。发光装置也是具有光学耦合层23，光学耦合层23设置在基板和共用于多个发光单元的第一导电类型包层之间，光学耦合发光单元，并将光分布到整个集成化合物半导体发光器件。 Ž
申请日期	2007-05-01
专利号	JP2007324578A
专利状态	失效
申请号	JP2007120965
公开（公告）号	JP2007324578A
IPC 分类号	H01L \| H01L21/3065 \| H01L33/08 \| H01L33/12 \| H01L33/06 \| H01L33/62 \| H01L33/00 \| H01L33/32
专利代理人	伊藤克博 \| 小野暁子
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/72179
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	MITSUBISHI CHEMICALS CORP
推荐引用方式 GB/T 7714	堀江秀善. 集積型半導体発光装置およびその製造方法. JP2007324578A[P]. 2007-12-13.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP2007324578A.PDF（342KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文