Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 氮化物外延层结构及其制作方法 | |
| 其他题名 | 氮化物外延层结构及其制作方法 |
| 温子稷; 涂如钦; 游正璋; 武良文; 简奉任 | |
| 2007-12-26 | |
| 专利权人 | 璨圆光电股份有限公司 |
| 公开日期 | 2007-12-26 |
| 授权国家 | 中国 |
| 专利类型 | 授权发明 |
| 摘要 | 本发明涉及一种氮化物外延层结构及其制作方法，其包括：基板，作为基材；第一中介层，由于该基材上堆叠适当厚度的高温氮化铝铟镓(Al1-x-yGaxInyN)材质所形成；第二中介层，由于该第一中介层上堆叠适当厚度的再结晶氮化铝铟镓(Al1-x-yGaxInyN)材质所形成；以及氮化物外延层，由于该第二中介层上堆叠氮化物外延层材质所形成，因此，可以改善低温氮化铝铟镓缺陷密度过多的问题，而增进其元件特性。 |
| 其他摘要 | 本发明涉及一种氮化物外延层结构及其制作方法，其包括：基板，作为基材；第一中介层，由于该基材上堆叠适当厚度的高温氮化铝铟镓(Al1-x-yGaxInyN)材质所形成；第二中介层，由于该第一中介层上堆叠适当厚度的再结晶氮化铝铟镓(Al1-x-yGaxInyN)材质所形成；以及氮化物外延层，由于该第二中介层上堆叠氮化物外延层材质所形成，因此，可以改善低温氮化铝铟镓缺陷密度过多的问题，而增进其元件特性。 |
| 申请日期 | 2004-09-16 |
| 专利号 | CN100358166C |
| 专利状态 | 授权 |
| 申请号 | CN200410078004.8 |
| 公开（公告）号 | CN100358166C |
| IPC 分类号 | H01L33/00 | H01S5/00 | H01L33/04 | H01L33/32 |
| 专利代理人 | 郝庆芬 |
| 代理机构 | 北京银龙知识产权代理有限公司 |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/48114 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 璨圆光电股份有限公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 温子稷,涂如钦,游正璋,等. 氮化物外延层结构及其制作方法. CN100358166C[P]. 2007-12-26. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| CN100358166C.PDF（197KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
| 个性服务 |
| 推荐该条目 |
| 保存到收藏夹 |
| 查看访问统计 |
| 导出为Endnote文件 |
| 谷歌学术 |
| 谷歌学术中相似的文章 |
| [温子稷]的文章 |
| [涂如钦]的文章 |
| [游正璋]的文章 |
| 百度学术 |
| 百度学术中相似的文章 |
| [温子稷]的文章 |
| [涂如钦]的文章 |
| [游正璋]的文章 |
| 必应学术 |
| 必应学术中相似的文章 |
| [温子稷]的文章 |
| [涂如钦]的文章 |
| [游正璋]的文章 |
| 相关权益政策 |
| 暂无数据 |
| 收藏/分享 |
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。
修改评论