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High Efficiency 1.9 kW Single Diode Laser Bar Epitaxially Stacked with a Tunnel Junction 期刊论文
IEEE Photonics Journal, 2021, 卷号: 13, 期号: 3
作者:  Zhao, Yuliang;  Wang, Zhenfu;  Demir, Abdullah;  Yang, Guowen;  Ma, Shufang;  Xu, Bingshe;  Sun, Cheng;  Li, Bo;  Qiu, Bocang
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semiconductor laser  diode laser bar  high power  power conversion efficiency  tunnel junction  
Suppression of substrate mode in GaN-based green laser diodes 期刊论文
Optics Express, 2020, 卷号: 28, 期号: 10, 页码: 15497-15504
作者:  Jiang, Lingrong;  Liu, Jianping;  Zhang, Liqun;  Qiu, Bocang;  Tian, Aiqin;  Hu, Lei;  Li, Deyao;  Huang, Siyi;  Zhou, Wei;  Ikeda, Masao;  Yang, Hui
Adobe PDF(4241Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：165/0  |  提交时间：2020/05/28
High-Power Single-Longitudinal-Mode DFB Semiconductor Laser Based on Sampled Moiré Grating 期刊论文
IEEE Photonics Technology Letters, 2019, 卷号: 31, 期号: 10, 页码: 751-754
作者:  Liu, Shengping;  Wu, Hao;  Shi, Yuechun;  Qiu, Bocang;  Xiao, Rulei;  Chen, Min;  Xue, Haiyun;  Hao, Lijun;  Zhao, Yong;  Lu, Jun;  Chen, Xiangfei
Adobe PDF(801Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：171/1  |  提交时间：2019/06/27
Lateral thermal dissipation of InP-based InGaAsP ridge waveguide laser 会议论文
Semiconductor Lasers and Applications VIII, Beijing, China, 2018-10-12
作者:  Li, Xiao;  Qiu, Bocang;  Ruiying, Zhang;  Yue, Zhao
Adobe PDF(623Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：124/0  |  提交时间：2019/03/12
Improvements in semiconductor lasers 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: US20110222571A1, 申请日期: 2011-09-15, 公开日期: 2011-09-15
发明人:  MARSH, JOHN HAIG;  MCDOUGALL, STEWART DUNCAN;  BACCHIN, GIANLUCA;  QIU, BOCANG
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Control of output beam divergence in a semiconductor waveguide device 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: US20060274793A1, 公开日期: 2006-12-07
发明人:  QIU, BOCANG
收藏  |  浏览/下载：48/0  |  提交时间：2019/12/26